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三极管和MOS管抗静电效果比较
日期：2024-11-20 10:31
浏览次数：3089
摘要：
三极管和MOS管抗静电效果比较
三极管和MOS管都是ESD的敏感元器件，但对ESD的抵抗能力，有没有优劣之分呢？如果您是从事EMC电子开发设计的，您可能会有这样的经验，相对来说，三极管比MOS管的抗静电效果要强得多。为什么会这样呢？
可从两种元件的工作原理来分析：三极管是电流驱动元件，MOS管是电压驱动元件，MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U=Q/C, 结电容很小，一般PF级，只要GS之间感应了极小的电量，那么这个电压将是惊人的。而这个电压不能泄放（因为GS电阻极大）一般的击坏都是GS之间损坏。三极管是电流驱动设计，而且可以用分压电阻形成对地的泻流通路，如果不主动去驱动，静电电流是不可能意外驱动三极管的。所以就会有：MOS管，“摸死管”的比喻，“摸死管”就是指静电太容易打死了。
如果要想提高MOS管的抗静电能力，一般可以在输入端串联电阻+并联电容的方案解决。
静电放电发生器的详细参数，请参阅链接：www.dgzhongsheng.com/ProductShow.asp。
三极管和MOS管都是ESD的敏感元器件，但对ESD的抵抗能力，有没有优劣之分呢？如果您是从事EMC电子开发设计的，您可能会有这样的经验，相对来说，三极管比MOS管的抗静电效果要强得多。为什么会这样呢？
可从两种元件的工作原理来分析：三极管是电流驱动元件，MOS管是电压驱动元件，MOSFET的栅极源极之间是绝缘的，其GS之间有一个电容。根据U=Q/C, 结电容很小，一般PF级，只要GS之间感应了极小的电量，那么这个电压将是惊人的。而这个电压不能泄放（因为GS电阻极大）一般的击坏都是GS之间损坏。三极管是电流驱动设计，而且可以用分压电阻形成对地的泻流通路，如果不主动去驱动，静电电流是不可能意外驱动三极管的。所以就会有：MOS管，“摸死管”的比喻，“摸死管”就是指静电太容易打死了。
如果要想提高MOS管的抗静电能力，一般可以在输入端串联电阻+并联电容的方案解决。
静电放电发生器的详细参数，请参阅链接：www.dgzhongsheng.com/ProductShow.asp。
