氧化铝陶瓷基覆铜板

 DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺方法。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，DCB基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料，也是本世纪封装技术发展方向“chip-on-board”技术的基础。

1、 DCB应用

●    大功率电力半导体模块；

●    半导体致冷器、电子加热器；

●    功率控制电路，功率混合电路；

●    智能功率组件；

●    高频开关电源，固态继电器；

●    汽车电子，航天航空及**电子组件；

●   太阳能电池板组件；

●   电讯专用交换机，接收系统；

●   激光等工业电子。

 2、DCB特点

●   机械应力强，形状稳定；

●   高强度、高导热率、高绝缘性；

●   结合力强，防腐蚀；

●   极好的热循环性能，循环次数达5万次，可靠性高；

●   与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构

●   无污染、无公害；

●   使用温度宽-55℃～850℃；

●   热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。

3、使用DCB优越性

●   DBC的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降低成本；

●   减少焊层，降低热阻，减少空洞，提高成品率；

●   在相同截面积下。0.3mm厚的铜箔线宽仅为普通印刷电路板的10%；

●   优良的导热性，使芯片的封装非常紧凑，从而使功率密度大大提高，改善系统和装置的可靠性；

●   超薄型(0.25mm)DBC板可替代BeO，无环保毒性问题；

●   载流量大，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体，温升仅5℃左右；

●  热阻低，10×10mmDCB板的热阻：                                 

    厚0.63mm为0.31K/W

    厚0.38mm为0.19K/W

    厚0.25mm为0.14K/W

●   绝缘耐压高，保障人身**和设备的防护能力；        

●  可以实现新的封装和组装方法，使产品高度集成，体积缩小。

4、陶瓷覆铜板DCB技术参数

技术参数    AL2O3(≥96%)

 *大规格  mm×mm 138×178 或138×188

 瓷片厚度  mm  0.25，  0.32，  0.38，  0.5，0.63±0.07(标准)，1.0， 1.3，  2.5

 瓷片热导率 W/m.K 24～28

 瓷片介电强度  KV/mm ＞14

瓷片介质损耗因数≤3×10-4(25℃/1MHZ)

 瓷片介电常数  9.4(25℃/1MHZ)

 铜箔厚度(mm)  0.1～0.6    0.3±0.015(标准)

 铜箔热导率 W/m.K 385

 表面镀镍层厚度  μm 2～2.5

 表面粗度 μm  Rp≤7， Rt≤30， Ra≤3

 平凹深度 μm ≤30

 铜键合力  N/mm ≥6

 抗压强度 N/ Cm2 7000～8000

 热导率W/m.K  24～28

 热膨胀系数 ppm/K  7.4  (在50～200℃)

 DCB板弯曲率  Max ≤150μm/50mm (未刻图形时)

 应用温度范围  ℃

 -55～850  (惰性气氛下) 氢 脆 变 至400℃

 注本公司亦能承制用户特殊要求的规格，公司拥有精良的工艺，检测设备，使铜图形线条宽度*小为(1.2±0.2)mm，铜图形线间的距离*小达(0.7±0.2)mm，而铜图形线与陶瓷板边缘的*小间距为0.5mm.。