GKD-2双面光刻机
本机是专为生产中、大规模集成电路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而设计制造的。它可以将两块掩模上的各种图案经紫外光束的曝光，从上下两面分别或同时转印至硅片或其它基片的正反面上，再经其它工序的处理，从而获得完整的微电子器件。 本机为适应各电子器件厂对GKD-2型光刻机的使用习惯，故保留了GKD-2型光刻机部分操作程序，尤其是为了提高光刻的质量，本机的结构、精度以及性能等方面作了大幅度的改进。为减少使用者的疲劳，显微镜采用双目观察和平视场物镜，成像清晰，景深较长。由于本机具有上述种种特点，是成批生产微电子器件较为适合的光刻设备。
主要技术参数：
1、适用的掩模尺寸：100×100×2～3mm或75×75×2～3mm
2、适用的基片幅面尺寸：Φ50或Φ75mm
3、曝光分辨率：3～4um
4、掩模与硅片之间的相对位移范围：X、Y各≥±2.5mm；θ（旋转）≥±5°
5、工作台综合移动范围：X±37.5mm、Y±20mm
6、曝光系统：GCQ200W超高压球形汞灯，曝光波长：300～436nm
7、曝光系统能量不低于：波长407nm；7mW/cm2
8、曝光系统的照明不均匀性在Φ75mm范围内：±5%
9、显微镜的照明波长：≈545nm
10、曝光时间控制范围：0.01秒～99.99分
11、双目显微镜的调焦范围：13mm
12、双目显微镜的放大倍率：①成对目镜，共两种：10 X、16 X；②平视场物镜，共两种：6 X、9 X；③总合成放大倍率：60 X～144 X
13、真空接触压力：≥0.7kgf
14、供电电源：①频率：50HZ（Z频）；②额定输入电压：190V～230V；③功率消耗：≤300VA
15、外形尺寸：800×1440×650mm
16、重量：86kg