GKD-2双面光刻机
本机是专为生产中、大规模集成电路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而设计制造的。它可以将两块掩模上的各种图案经紫外光束的曝光,从上下两面分别或同时转印至硅片或其它基片的正反面上,再经其它工序的处理,从而获得完整的微电子器件。 本机为适应各电子器件厂对GKD-2型光刻机的使用习惯,故保留了GKD-2型光刻机部分操作程序,尤其是为了提高光刻的质量,本机的结构、精度以及性能等方面作了大幅度的改进。为减少使用者的疲劳,显微镜采用双目观察和平视场物镜,成像清晰,景深较长。由于本机具有上述种种特点,是成批生产微电子器件较为适合的光刻设备。
主要技术参数:
1、适用的掩模尺寸:100×100×2~3mm或75×75×2~3mm
2、适用的基片幅面尺寸:Φ50或Φ75mm
3、曝光分辨率:3~4um
4、掩模与硅片之间的相对位移范围:X、Y各≥±2.5mm;θ(旋转)≥±5°
5、工作台综合移动范围:X±37.5mm、Y±20mm
6、曝光系统:GCQ200W超高压球形汞灯,曝光波长:300~436nm
7、曝光系统能量不低于:波长407nm;7mW/cm2
8、曝光系统的照明不均匀性在Φ75mm范围内:±5%
9、显微镜的照明波长:≈545nm
10、曝光时间控制范围:0.01秒~99.99分
11、双目显微镜的调焦范围:13mm
12、双目显微镜的放大倍率:①成对目镜,共两种:10 X、16 X;②平视场物镜,共两种:6 X、9 X;③总合成放大倍率:60 X~144 X
13、真空接触压力:≥0.7kgf
14、供电电源:①频率:50HZ(Z频);②额定输入电压:190V~230V;③功率消耗:≤300VA
15、外形尺寸:800×1440×650mm
16、重量:86kg