治具调试注意事项：
治具调试程序：
治具安装->系统参数设置->Open/Short学习及测试->各种零件的调试->IC保护二极管的学习及测试->DiodeCheck的学习及测试->多联片的拷贝->IC Open学习及测试。
测试资料文件侦错注意事项:
1. 原则一: Stand_V与Actual_V相同(限于R,L,C), 万不得已时才考虑修改;
2. 原则二: 量测值**而真实,越接近Actual_V (主要指R,L,C及齐纳电压等)越好. 即Dev%越小越好(大多数应在+/-3%以内).
3. 原则三: 量测值越稳定越好.按F8看测量值小数点前后的跳动情况,或按F9,F10看统计分布图. (重复测试同一块板子10次以上,并在试产时测试不同的板子数十片以上,以检验测试的稳定性.而在量产初期要边测试边修改,更要定期查看或打印出*坏(Report ->Worst)零件统计表,进行有针对性的修正,如此3天至一周以后,应做到测试非常稳定.)
4. 原则四: 省时,即省去多余延时或通过改用其它模式,设置隔离点等以达到省时目的. 其前提是须保证测量值**而真实,稳定.
5. 在测试资料文件侦错前，必需先进行短路点学习，因为使用自动寻找隔离点功能时会用到短路点资料。
6. 特大电容在Open/Short学习时,可能会学成Short,而大电感则反之.
7. 隔离点的选择,通过按F7或ALT+F7,或者加适当延时等修改后再按F7或ALT+F7由系统自动完成,绝大多数可达到效果.经验表明,隔离点太多,测量值可能不稳定. 一般选择0~2个隔离点可以满足要求,并且隔离点的选择一般仅隔离一面.如果按F7或ALT+F7后,系统选择的隔离点太多,则要重新作自动隔离,以找到一种隔离点较少且测量效果*好的方案.
8. 一般而言,以电流源当信号源测试的R是以相接组件较少的一端作为高点,而以电压源当信号源测试的C,L,R//C,R//L则是以相接组件较少的一端作为低点.按ALT+F7可作自动选择隔离点而不互换高低点.
9. 对于不稳定的步骤,考虑设RPT为5/D(Discharge需要一定时间).
10. 大电阻并联大电容: 为确保可靠的测出缺件,RPT不超过2为宜或者不设置. 釆用HIGH SPEED MODER//C，测量值较不稳定，宜将+/-Lm%设为30左右。
11. 有加重测功能的步骤，其测试值是分布在上限边缘或是在下限边缘的则不必去修改。因为测试值若是在良品范围之外，系统会自动进行重测(连续的重测亦会起到延时的效果)。而延迟时间加得太长，会影响到测试时间。
12. 关于“-1”的使用场合: +/-Lm%可设为“-1”,以忽略其限制. 经验表明,以下几种情况不提倡使用“-1”.
a) 小电阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0电阻除外),要确保能测出连锡短路;
因过小的电阻一般在Open/Short测试时,无法检出连锡.
b) DIODE反向压降测试, +Lm%勿取-1,因探针接触不佳开路时,电压降更大;
c) 电容极性测试, -Lm%勿取-1,因探针接触不佳开路时,电流会更小.
虽然因探针接触不佳开路时,DIODE的正向测试或电容容值会FAIL,但RETRY时仅就**步骤进行再测试.
13. 对于无法准确测试的情形,比如:大电阻并联大电容,过小的小电容等,可考虑修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留测试.无论如何,不要釆取删略(Skip)的下策. 虽然有时这颗组件既便漏件也不可测,但并不表示错成其它任何组件都不可测.
14. 据时间常数τ=RC,且系统对大电阻提供的电流源会比小电阻小,故在整个网络中,大电阻须延时的机会会比小电阻多. 遇大电阻,按F7学习后,如得到的测量值不甚接近实际值或者不稳定,则可设DLY为10或以上,再按F7学习.如果延时须要太久,可考虑釆用HIGH SPEED MODER//C.
15. 在线路图和零件表上没有列出电感值的电感，可以按下F8键，以所量到的电感值当做标准值。对于感值在mH级以上的电感(包括变压器,继电器等线圈),均补增R模式测试,且延时必须为10以上,亦考虑设RPT为5或D,使其呈现为较小电阻(此为防范选错针号,以及更确保测出内部开路的必要步骤).
16. 所有电感,包括变压器(Transformer),继电器(Relay),高压包(LOT)等线圈,原则均宜采用电感(L)模式测试,以确保测出短路或者错件及**。有些电感测试能力较差的品牌，往往将其当作跳线或者小电阻来测试，仅能测出开路。
17. 选择低频(MODE1)测试小电感时,同小电阻类似,测量值受探针接触电阻影响较大,可将上限适当放宽至50以上.
18. 关于电容极性测试, 一般可按如下方法试之:
i. 设ACT_V为5~10V, (初设9V,试之不佳,再考虑将其改为5V等.)
ii. MODE为6 (<20mA) (一般电流越大越好)
iii. STD_V为0.2~0.5mA (此设定以可完全准确测出插反为准,可更大些.)
iv. HI-PIN为电容阳极
v. LO-PIN为电容阴极.
vi. -LM% 可设至60~90.
19. 作为旁路的小电容,一般上限充许较大误差, 确保*低值满足要求即可. 精度要求非常高的电容另虑.
20. 对于100pF以下的小电容,如果不稳定,上限可宽至40~80.
21. 对于3nF以下的电容,按F7学习失败,可试蓍在Offset设定200,500,2000等等,再按F7学习,如在生产中欲重新学习,*好先去除Offset,再按如前所述试之.
22. 大电容有时会遭误判，可以将该大电容的高低点互换试之。对于40uF以上的电容,按F7学习釆用MODE4测试,如果测量值不接近实际值,可将MODE改为8再试.因大电流充电,其充电曲线较陡.
23. 所有二极管均釆用正,反向双步测试.以更确保测出插反或错件,乃至组件**.具体方法:
按CTRL+ENTER插入一步后,分别将Stand_V设置为9.9V, MODE为1, RPT为5/D, 如并联大电容,则要足够延时.再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 设+/-Lm%为20~30(不提倡使用-1).
24. 对于SMD板,在参数设置时,要注意一般不要让ICT加到UUT的电压超过3V(一般IC的工作电压)左右为宜.
25. 对于计算机主板,宜增加一步VCC与GND之间的电阻测试,并加足够的延时.
TR518/TR518FE/TR518FR/TR518FV/TR5001机器RCL等器件的调试技术