TR518測試資料檔偵錯注意事項:
1. 原則一: Stand_V與Actual_V相同(限于R,L,C), 萬不得已時才考慮修改;
2. 原則二: 量測值精確而真實,越接近Actual_V (主要指R,L,C及齊納電壓等)越好. 即Dev%越小越好(大多數應在+/-3%以內).
3. 原則三: 量測值越穩定越好. 按F8看測量值小數點前後的跳動情況,或按F9,F10看統計分布圖. (重复测试同一块板子10次以上,并在试产时测试不同的板子数十片以上,以检验测试的稳定性. 而在量产初期要边测试边修改,更要定期查看或打印出*坏(Report -> Worst)零件统计表,进行有针对性的修正,如此3天至一周以后,应做到测试非常稳定.)
4. 原則四: 省時,即省去多余延時或通過改用其它模式,設置隔離點等以達到省時目的. 其前提是須保証測量值精確而真實,穩定.
5. 在測試資料檔偵錯前，必需先進行短路點學習，因為使用自動尋找隔離點功能時會用到短路點資料。
6. 特大電容在Open/Short學習時,可能會學成Short,而大電感則反之.
7. 隔離點的選擇,通過按F7或ALT+F7,或者加適當延時等修改後再按F7或ALT+F7由系統自動完成,絕大多數可達到效果. 經驗表明,隔離點太多,測量值可能不穩定. 一般選擇0~2個隔離點可以滿足要求,并且隔離點的選擇一般僅隔離一面. 如果按F7或ALT+F7後,系統選擇的隔離點太多,則要重新作自動隔離,以找到一種隔離點較少且測量效果*好的方案.
8. 一般而言,以電流源當信號源測試的R是以相接元件較少的一端作為高點,而 以電壓源當信號源測試的C,L,R//C,R//L則是以相接元件較少的一端作為低點. 按ALT+F7可作自動選擇隔離點而不互換高低點.
9. 儘量使用重測功能，而少用平均值功能, 以縮短測試時間。(本廠暫無平均值功能.)
10. 對于不穩定的步驟,考慮設RPT為5/D(Discharge需要一定时间).
11. 大电阻并联大电容: 为确保可靠的测出缺件, RPT不超过2为宜或者不设置 . 釆用HIGH SPEED MODE R//C，测量值较不稳定，宜将+/-Lm%设为30左右。
12. 有加重測功能的步驟，其測試值是分佈在上限邊緣或是在下限邊緣的則不必去修改。因為測試值若是在良品範圍之外，系統會自動進行重測(連續的重測亦會起到延時的效果)。而延遲時間加得太長，會影響到測試時間。
13. 關于“-1”的使用場合: +/-Lm%可設為“-1”,以忽略其限制. 經驗表明,以下幾種情況不提倡使用“-1”.
1).小電阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0電阻除外),要確保能測出連錫短路;
l 因過小的電阻一般在Open/Short測試時,無法檢出連錫.
2).DIODE反向壓降測試, +Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電壓降更大;
3).電容極性測試, -Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電流會更小.
l 雖然因探針接觸不佳開路時,DIODE 的正向測試或電容容值會FAIL,但RETRY時僅就**步驟進行再測試.
14. 對于無法准確測試的情形,比如:大電阻并聯大電容,過小的小電容等,可考慮修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留測試. 無論如何,不要釆取刪略(Skip)的下策. 雖然有時這顆元件既便漏件也不可測,但并不表示錯成其它任何元件都不可測.
15. 據時間常數τ=RC,且系統對大電阻提供的電流源會比小電阻小,故在整個網路中,大電阻須延時的機會會比小電阻多. 遇大電阻,按F7學習後,如得到的測量值不甚接近實際值或者不穩定,則可設DLY為10或以上,再按F7學習. 如果延時須要太久,可考慮釆用HIGH SPEED MODE R//C.
16. 在線路圖和零件表上沒有列出電感值的電感，可以按下F8鍵，以所量到的電感值當做標準值。對于感值在mH級以上的電感(包括變壓器, 繼電器等線圈),均補增R模式測試,且延時必須為10以上,亦考慮設RPT為5或D,使其呈現為較小電阻(此為防範選錯針號,以及更確保測出內部開路的必要步驟).
17. 所有电感,包括變壓器(Transformer),繼電器(Relay),高壓包(LOT)等線圈,原则均宜采用电感(L)模式测试,以确保测出短路或者错件及**。有些电感测试能力较差的品牌，往往将其当作跳线或者小电阻来测试，仅能测出开路。
18. 選擇低頻(MODE1)測試小電感時,同小電阻類似,測量值受探針接觸電阻影響較大,可將上限適當放寬至50以上.
19. 關于電容極性測試, 一般可按如下方法試之:
設ACT_V為5~10V, (初設9V,試之不佳,再考慮將其改為5V等.)
MODE為6 (<20mA) (一般電流越大越好)
STD_V為0.2~0.5mA (此設定以可完全准確測出插反為准,可更大些.)
HI-PIN為電容陽極
LO-PIN為電容陰極.
-LM% 可設至60~90.
20. 作為旁路的小電容, 一般上限充許較大誤差, 確保*低值滿足要求即可. 精度要求非常高的電容另慮.
21. 對于100pF以下的小電容,如果不穩定,上限可寬至40~80,
22. 對于3nF以下的電容,按F7學習失敗,可試蓍在Offset設定200,500,2000等等,再按F7學習,如在生產中欲重新學習,*好先去除Offset,再按如前所述試之.
23. 大電容有時會遭誤判，可以將該大電容的高低點互換試之。對于40uF以上的電容,按F7學習釆用MODE4測試,如果測量值不接近實際值,可將MODE改為8再試. 因大電流充電,其充電曲線較陡.
24. 所有二極體均釆用正,反向雙步測試. 以更確保測出插反或錯件,乃至元件**. 具體方法:
按CTRL+ENTER插入一步後,分別將Stand_V設置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯大電容,則要足夠延時. 再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 設+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1).
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