碳硅分析仪的测量原理：通过微处理器进行温度曲线的采集，通过铁水结晶法来测量计算碳硅成份及铁水品质，通过改进的求值方法进行工作，能自动控制重要的冶金参数，弥补“光谱"难以测准非金属元素（C、Si）之不足，以及常规分析仪器不能满足炉前快速分析的时间要求，满足铸造生产的质量控制要求。
碳硅分析仪的主要参数:
测温范围：1250℃～1370℃
测量范围：碳当量3.2～4.8±0.047%
碳含量2.8～4.2±0.04%
硅含量0.9～3.0±0.1%
碳硅分析仪的技术参数：
测量参数: 测定C、Si、CEL、△T、△TM,计算抗拉强度Rm、硬度HB、品质系数R/H、共结团数MEG、石墨化因子K。
测量范围: 按照ICEC584，型号K（Nicr-Ni）1250℃-1370℃ C:2.8-4.2% Si:0.9-3.0% CEL:3.2-4.8
精 度: <±℃ CET±0.047% C±0.04% Si±0.1%
显 示: 4位LED显示 数字560mm 分辨率：1℃
操作方式: 9个按键选择所需参数,其中“Auto”键是循环显示。C、Si、可通过面板旋钮调整C、Si精度。
输出方式: 电流环TTY4-20MA
外型尺寸: 长：380mm 宽:290mm 高:120mm
工作电源: AC：220V±10% 50HZ 功率：10VA-35VA 环境温度：0℃-50℃
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