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半导体分立器件测试仪
电压：200V
电流：10mA
控制，1电压：20V
控制，1电流：10A
控制，2电压：20V
控制，2电流：1A
电压分辨率：1mV
电流分辨率：1nA
测试速度：器件不同速度也不同
试器件种类
二*管
稳压（齐纳）二*管
晶体管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶闸管）
双向可控硅（双向晶闸管）
MOS场效应管（N-沟/P-沟）
结型场效应管（N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
光电耦合器
，参数
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
击穿参数： BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH
锁定参数：IL
混合参数：rDSON、gFS
测试盒说明：
测试盒共有五种：
1：可测二，管、稳压二，管；
2：可测封装为TO-92、TO-220等三个管脚在一个平面上的三端器件；
3：可测封装为TO-3及，封装为F1、F2、F3、F4三端器件；
4：可测三个管脚分三角形排列，且器件壳体为小圆型的小功率三端器件；
5：可测DIP4、DIP6、DIP8封装的光电耦合器；
测试夹具：
测试夹具有三根夹子线，与测试盒1配合使用，用来测试器件形状，不能使用上述五种测试盒上的插座，则使用此三个夹子线直接夹在器件的管脚上进行测试。
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