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KDKLT-100C 数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号:KDKLT-100C
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KDKLT-100C 数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号:KDKLT-100C
产品资料
KDKLT-100C 数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号:KDKLT-100C
如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称:
KDKLT-100C 数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号:KDKLT-100C
产品型号:
KDKLT-100C
产品展商:
国产
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简单介绍
KDKLT-100C 数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号:KDKLT-100C τ:1~6000μs ρ>0.1Ω·cm太阳能硅片寿命 配已知寿命样片、配数字示波器 为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。
产品描述
数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶)
型号:KDKLT-100C
货号:ZH8201
产
品
简
介
:
τ:1~6000μs ρ>0.1Ω·cm太阳能硅片寿命 配已知寿命样片、配数字示波器
为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量,特按照国标GB/T1553及SEMI MF-1535用高频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。
该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年,积累丰富的使用经验,经过数次十多个单位巡回测试的考验,证明是一种成熟的测试方法,**适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量;也可对硅片进行测量,给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面,制样简便。
产品特点:
1.可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面*需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。
2.可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面*需抛光、钝化。
3.配备软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。
4.配置两种波长的红外光源:
a.红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b.短波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能硅晶体。
5.测量范围宽广测试仪可直接测量:
a.研磨或切割面:电阻率≥0.3Ω?㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。
b.抛光面:电阻率在0.3~0.01Ω?㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围:0.25μS—10ms
http://www.centrwin.com/ProductSearch.aspx?id=8201
KDKLT-100C 数字式硅晶体少子寿命测试仪/高频光电导寿命测试仪(测单晶) 型号:KDKLT-100C
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