高频光电导少数载流子寿命测试仪 ZHLT-1C

高频光电导少数载流子寿命测试仪单晶少子寿命测试仪/电阻率＞0.1Ω•cm 型号:ZHLT-1C

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产品名称：高频光电导少数载流子寿命测试仪单晶少子寿命测试仪/电阻率＞0.1Ω•cm 型号:ZHLT-1C
产品型号：ZHLT-1C
产品展商：国产
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简单介绍

高频光电导少数载流子寿命测试仪单晶少子寿命测试仪/电阻率＞0.1Ω•cm 型号:ZHLT-1C测量范围寿命测试范围：10~6000μs，电阻率＞3Ω•cm；＞10Ω•cm；＞0.1Ω•cm；＞0.05Ω•cm等等（电阻率值越小，寿命测试越难，仪器价位也就越高！）

产品描述

高频光电导少数载流子寿命测试仪单晶少子寿命测试仪/电阻率＞0.1Ω•cm 型号:ZHLT-1C

1、概述
ZHLT-1C高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料组织SEMI标准（F28-75）及标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，由于对样块体形*严格要求，因此**应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶的重要检测项目。

2、性能

2.1 光脉冲发生装置重复频率＞25次/s 脉宽≥60μs 光脉冲关断时间＜5μs 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电源：5A～20A

2.2 高频源频率：30MHz 低输出阻抗输出功率＞1W

2.3 放大器和检波器频率响应：3Hz～1MHz

2.4 配用示波器配用示波器：频带宽度不低于10MHz,Y轴增益及扫描速度均应连续可调如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源

2.5 测量范围寿命测试范围：10~6000μs，
电阻率＞3Ω•cm；＞10Ω•cm；＞0.1Ω•cm；＞0.05Ω•cm等等（电阻率值越小，寿命测试越难，仪器价位也就越高！）

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