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- 产品名称：中子sCMOS探测器
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- 发布时间：2019-12-17
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简单介绍
中子sCMOS探测器，PSEL制冷型中子探测器系列采用LiF：ZnS：Ag闪烁体荧光屏，由极低中子成像应用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效区域的高分辨率闪烁体，并结合具有低噪声、快速读出4096×4096分辨率的sCMOS相机。中子sCMOS探测器 快中子系列不仅可以用于实验室密封源研究，也可用于研究反应堆设施。
产品描述
PSEL制冷型中子探测器系列采用LiF：ZnS：Ag闪烁体荧光屏，由极低噪声、高灵敏度ICCD或sCMOS芯片读出。中子成像应用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效区域的高分辨率闪烁体，并结合具有低噪声、快速读出4096×4096分辨率的sCMOS相机。衍射和小角散射应用使用26cm×20cm有效区域的高效闪烁体，并结合1306×1040分辨率的超低噪声ICCD相机，可实现单量子探测功能。通过将多个相机拼接在一起可以实现更大区域的探测。快中子系列不仅可以用于实验室密封源研究，也可用于研究反应堆设施。
中子sCMOS探测器 主要特点：
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16-bit数字图像实时采集
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单中子等效读出噪声
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可达20000:1的高动态范围
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标准相机与计算机接口
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芯片阵列可多路采集
应用：
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中子成像/断层扫描
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中子衍射
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小角中子散射
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蛋白质晶体学
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中子反射
技术指标：
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参数
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中子ICCD
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中子sCMOS
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闪烁体
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LiF：ZnS：Ag
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有效像元尺寸
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200μm
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105 μm
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有效探测尺寸
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20cm×26cm
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43cm×43cm
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帧速
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0.6 fps
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5 fps
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动态范围
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>10000:1
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>20000:1
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读出噪声
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<3 e-
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4e-
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增益
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>1000:1
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N/A
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门控宽度
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<1 ms @ 1kHz
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N/A
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芯片制冷温度
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-20 ℃
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曝光时间(单帧)
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*长可达30分钟
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*长可达1分钟
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相机接口
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千兆以太网
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Li-6荧光屏来自于scintacor
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特征
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物理性质
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屏幕类型
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ND
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磷光体类型
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混合颗粒
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发光颜色
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蓝色
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峰值波长
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450nm
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衰减10%
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3.5μs
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余辉拖尾
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低阶
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X射线吸收
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极低
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紫外光吸收
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宽带
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