膜厚测量仪FE-3 先锋科技（香港）股份有限公司

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产品名称：膜厚测量仪FE-3
产品型号：
产品展商：其它品牌
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发布时间：2020-04-02
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简单介绍

膜厚量测仪FE-3的特点使用分光干涉法原理配置高精度FFT膜厚分析引擎可通过光纤灵活构筑测量系统膜厚量测仪FE-3的可嵌入各种制造设备

产品描述

对于具有波长依赖性的多层膜，可以实现高精度测量！

膜厚量测仪FE-3的特点
使用分光干涉法原理
配置高精度FFT膜厚分析引擎
可通过光纤灵活构筑测量系统
可嵌入各种制造设备
可实时测量膜厚
支持远程遥控，多点测量
采用长使用寿命，高稳定性白色LED光源

测量项目
多层膜膜厚解析

用途
光学薄膜（硬涂层，AR膜，ITO等）
FPD相关（resist，SOI，SiO2等）

膜厚量测仪FE-3测试实例

硬涂层膜厚分析

规格：

型号	E-3/40C	F FE-3/200I
测量方式	分光干涉式
测量膜厚范围（ｎｄ值）	20 nm ～ 40 μm	3 μm ～ 200 μm
测量波长范围	430 nm　～　650 nm	900 nm　～　1600 nm
测量精度	± 0.2 nm以内 *1	-
重复精度	0.1 nm以内 *2	-
测量时间	0.1 s ～ 10 s 以内
光斑直径	约 φ 1.2 mm
光源	白色LED	ハロゲン
光纤	光透射接收用Y型光纤1.5　ｍ　～　100 m
尺寸，重量	300（W)　×　300（D）　×　150（H）mm,约 10 kg
标准	峰谷分析，FFT分析,*适化方法解析

*1　相对于VLSI 公司产膜厚标准（100nm SiO2/Si）的膜厚保证书所记载的测量保证值范围
*2　重复测量VLSI 公司产膜厚标准（100nm SiO2/Si）的统一点时的扩展不确定度（包括因子2.1）

分光干涉式晶元厚度计sf-3

半导体晶元厚度测量
适用于1600μm以下的膜厚测量

通过光学式可进行非接触，非破坏状态下进行厚度测量
通过采用分光干涉法实现高测量重复性
可高速实时进行研磨监控
实现长WD（工作距离），方便嵌入制造设备
支持在线测量时所要求的外触发
采用了*适合厚度测量的单独分析运算法则

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