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压阻式传感器传感器测量原理

压阻式传感器传感器测量原理

     硅压阻式传感器由外壳、硅膜片和引线组成，其核心部分是做成杯状的硅膜片，通常叫做硅杯。外壳则因不同用途而异。在硅膜片上，用半导体工艺中的扩散掺杂法做四个相等的电阻，经蒸镀铝电极及连线，接成惠斯登电桥，再用压焊法与外引线相连。膜片的一侧是和被测系统相连接的高压腔，另一侧是低压腔，通常和大气相通，也有做成真空的。当膜片两边存在压力差而发生形变时，膜片各点产生应力，从而使扩散电阻的阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相应的电压，其电压大小就反映了膜片所受的压力差值。

   压阻式传感器是20世纪60年代初出现的，随着半导体工业和集成电路的迅速发展，目前，这种传感器已在航空、宇航、风洞及其他领域得到广泛应用，此传感器有如下显著优点：
(1) 灵敏度高。其灵敏系数比金属丝式应变片高约50～100倍。因此其输出信号大，可达200mV 左右，有些压力传感器的灵敏度高达50mV/MPa,可不用放大器直接驱动记录仪表。
   (2) 固有频率高，响应快。由于这种传感器小而轻，膜片直径小，刚度大，机械滞后小，横向效应小，自振频率很高。目前频率一般可达到50O kHz，国外有些公司的产品可达150OKHz

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