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红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺的应用
红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺的应用
------功率器件散热问题的解决方案
随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,如何降低电子电器产品的高能耗成为眼下的热点话题之一。而要想实现家用电器等电子电器产品的节能降耗,功率半导体是不可或缺的元器件产品,如IGBT(绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和FRD(快恢复二极管)等均属于该领域的重要产品。作为半导体产业中仅次于大规模集成电路的另一大分支,功率半导体在降低电路损耗和提高电源使用效率中,在信息技术与先进制造之间发挥着重要的桥梁作用。
功率半导体器件正从传统的工业控制和4C领域向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业迈进。当前行业内主流公司在产品开发上越来越多体现出小型化、高可靠的特点,此外采用先进封装技术和新型SiC、GaN材料也是主要关注对象。
产品开发关注可靠性与散热性
家电中应用的功率半导体,器件小型化、更高可靠性和良好散热性将是非常重要的特性。
“如何在保证温升小(功耗小)的基础上,实现更高的能源转换效率是功率半导体技术开发的主题。”而功率半导体在家电中应用,小型化将是一个非常重要的特性。为此,很多功率半导体企业近年来在产品的小型化上,都下足了功夫。以改善关断损耗对饱和压降的折中比例,提高功率半导体的性能,减少电力损耗,达到节能效果。
1,降低热阻
(1)热阻Rth定义:器件工作时产生的热量向外界散发的能力,℃/ W。即当器件消耗掉1W功率时其自身温度升高的度数。
热阻大小是代表功率器件品质优劣的一个重要参数。
(2)降低器件发热量的三个基本途径:
A, 优化电路设计,避免器件工作时进入放大区域,减少功率损耗;
B, 提高器件散热能力,避免器件发热失效;
C, 提高器件电流性能,降低相关饱和压降。
在电路设计和芯片工艺都已经定型的条件下,提高器件散热能力是避免器件发热失效的**手段,重要途径就是尽量降低器件的热阻。
红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺上的应用----
功率器件散热问题的解决方案
测温范围: -20℃ ~ 900℃, 热灵敏度: 0.04K / 0.08K
高分辨率: 382 x 288 像素, *快帧频: 120Hz
显微尺寸: 25μm(热场分布), 100μm(热场温度)
光学镜头: 标准镜头、望远镜头、广角镜头可选
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