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IGBT
 IGBT
绝缘栅双极晶体管 IGBT 是第三代电力电子器件，**工作，它集功率晶体管 GTR 和功率场效应管 MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz)的特点，是目前发展*为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。 IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。在此根据长期使用 IGBT 的经验并参考有关文献对 IGBT 的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大IGBT 应用人员有一定的帮助。
 
1 IGBT 门极驱动要求
 
1.1 栅极驱动电压
 
因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大，故可使用 MOSFET驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1是一个典型的例子。在 +20 ℃情况下，实测 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5 ～ 6 V，在实际使用时，为获得*小导通压降，应选取 Ugc ≥ (1.5 ～ 3)Uge(th) ，当 Uge 增加时，导通时集射电压 Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中 Uge 增加，集电极电流 Ic 也将随之增加，使得 IGBT能承受短路损坏的脉宽变窄，因此 Ugc 的选择不应太大，这足以使 IGBT 完全饱和，同时也限制了短路电流及其所带来的应力 (在具有短路工作过程的设备中，如在电机中使用 IGBT 时， +Uge 在满足要求的情况下尽量选取*小值，以提高其耐短路能力 ) 。
 
1.2 对电源的要求
 
对于全桥或半桥电路来说，上下管的驱动电源要相互隔离，由于 IGBT是电压控制器件，所需要的驱动功率很小，主要是对其内部几百至几千皮法的输入电容的充放电，要求能提供较大的瞬时电流，要使 IGBT迅速关断，应尽量减小电源的内阻，并且为防止 IGBT 关断时产生的 du/dt 误使 IGBT 导通，应加上一个 -5 V的关栅电压，以确保其完全可靠的关断 ( 过大的反向电压会造成 IGBT 栅射反向击穿，一般为 -2 ～ 10 V 之间 ) 。
 
1.3 对驱动波形的要求
 
从减小损耗角度讲，门极驱动电压脉冲的上升沿和下降沿要尽量陡峭，前沿很陡的门极电压使 IGBT快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在 IGBT关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。但在实际使用中，过快的开通和关断在大电感负载情况下反而是不利的。因为在这种情况下，IGBT 过快的开通与关断将在电路中产生频率很高、幅值很大、脉宽很窄的尖峰电压 Ldi/dt，并且这种尖峰很难被吸收掉。此电压有可能会造成 IGBT或其他元器件被过压击穿而损坏。所以在选择驱动波形的上升和下降速度时，应根据电路中元件的耐压能力及 du/dt 吸收电路性能综合考虑。
 
1.4 对驱动功率的要求
 
由于 IGBT的开关过程需要消耗一定的电源功率，*小峰值电流可由下式求出：
 
I GP = △ U ge /R G +R g ；
 
式中△ Uge=+Uge+|Uge| ； RG 是 IGBT内部电阻； Rg 是栅极电阻。
 
驱动电源的平均功率为：
 
P AV =C ge △ Uge 2 f,
 
式中． f 为开关频率； Cge 为栅极电容。
 
1.5 栅极电阻
 
为改变控制脉冲的前后沿陡度和防止震荡，减小 IGBT集电极的电压尖峰，应在 IGBT 栅极串上合适的电阻 Rg 。当 Rg 增大时， IGBT 导通时间延长，损耗发热加剧； Rg减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使 IGBT 损坏。应根据 IGBT 的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg的数值。通常在几欧至几十欧之间 ( 在具体应用中，还应根据实际情况予以适当调整 ) 。另外为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏IGBT ，建议在栅射间加入一电阻 Rge ，阻值为 10 k Ω左右。
 
1.6 栅极布线要求
 
合理的栅极布线对防止潜在震荡，减小噪声干扰，保护 IGBT正常工作有很大帮助。
 
a ．布线时须将驱动器的输出级和 lGBT 之间的寄生电感减至*低 (把驱动回路包围的面积减到*小 ) ；
 
b ．正确放置栅极驱动板或屏蔽驱动电路，防止功率电路和控制电路之间的耦合；
 
c ．应使用辅助发射极端子连接驱动电路；
 
d ．驱动电路输出不能和 IGBT 栅极直接相连时，应使用双绞线连接(2 转／ cm) ；
 
e ．栅极保护，箝位元件要尽量靠近栅射极。
 
1.7 隔离问题
 
由于功率 IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，主要的途径及其优缺点如表 1 所示。
 
表1 驱动电路与控制电路隔离的途径及优缺点
 
利用光电耦合器进行隔离
 
优点：体积小、结构简单、应用方便、输出脉宽不受限制，适用于 PWM控制器
 
缺点
 
1 、共模干扰抑制不理想
 
2 、响应速度慢，在高频状态下应用受限制
 
3 、需要相互隔离的辅助电源
 
利用脉冲变压器进行隔离
 
优点：响应速度快，共模干扰抑制效果好
 
缺点：
 
1 、信号传送的*大脉冲宽度受磁芯饱和特性的限制，通常不大于 50％，*小脉宽受磁化电流限制
 
2 、受漏感及集肤影响，加工工艺复杂
 
2 典型的门极驱动电路介绍
 
2.1 脉冲变压器驱动电路
 
脉冲变压器驱动电路如图 2 所示， V1 ～ V4组成脉冲变压器一次侧驱动电路，通过控制 V1 、 V4 和 V2 、 V3 的轮流导通，将驱动脉冲加至变压器的一次侧，二次侧通过电阻R1 与 IGBT5 栅极相连， R1 、 R2 防止 IGBT5 栅极开路并提供充放电回路， R1上并联的二极管为加速二极管，用以提高 IGBT5 的开关速度，稳压二极管 VS1 、 VS2 的作用是限制加在 IGBT5g-e端的电压，避免过高的栅射电压击穿栅极。栅射电压一般不应超过 20 V 。
 
  

  

图 2 脉冲变压器驱动电路
 
2.2 光耦隔离驱动电路
 
光耦隔离驱动电路如图 3 所示。由于 IGBT是高速器件，所选用的光耦必须是小延时的高速型光耦，由 PWM 控制器输出的方波信号加在三极管 V1 的基极， V1驱动光耦将脉冲传递至整形放大电路 IC1 ，经 IC1 放大后驱动由 V2 、 V3 组成的对管 (V2 、 V3 应选择β>100 的开关管 ) 。对管的输出经电阻 R1 驱动 IGBT4 ， R3 为栅射结保护电阻， R2 与稳压管 VS1构成负偏压产生电路， VS1 通常选用 1 W/5.1 V 的稳压管。此电路的特点是只用 1组供电就能输出正负驱动脉冲，使电路比较简洁。
 
  

  

图 3 光耦隔离驱动电路
 
2.3 驱动模块构成的驱动电路
 
应用成品驱动模块电路来驱动 IGBT，可以大大提高设备的可靠性，目前市场上可以买到的驱动模块主要有：富士的 EXB840、841，三菱的M57962L，落木源的KA101、KA102，惠普的 HCPL316J、3120等。这类模块均具备过流软关断、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出功能。由于这类模块具有保护功能完善、免调试、可靠性高的优点，所以应用这类模块驱动IGBT 可以缩短产品开发周期，提高产品可靠性。 EXB840 和 M57962很多资料都有介绍，KA101和KA102的资料可以从百度搜索，这里就简要介绍一下惠普公司的 HCPL316J 。典型电路如图 4所示。
 
  

  

图 4 由驱动模块构成的驱动电路
 
HCPL316J 可以驱动 150 A/1200 V 的 IGBT，光耦隔离， COMS/TTL 电平兼容，过流软关断，*大开关速度 500 ns ，工作电压 15 ～ 30 V，欠压保护。输出部分为三重复合达林顿管，集电极开路输出。采用标准 SOL-16 表面贴装。
 
HCPL316J 输入、输出部分各自排列在集成电路的两边，由 PWM电路产生的控制信号加在 316j 的第 1 脚，输入部分需要 1 个 5 V 电源， RESET 脚低电平有效，故障信号输出由第 6脚送至 PWM 的关闭端，在发生过流情况时及时关闭 PWM 输出。输出部分采用 +15 V 和 -5 V双电源供电，用于产生正负脉冲输出， 14 脚为过流检测端，通过二极管 VDDESAT 检测 IGBT 集电极电压，在 IGBT导通时，如果集电极电压超过 7 V ，则认为是发生了过流现象， HCPL316J 慢速关断 IGBT ，同时由第 6 脚送出过流信号。
 
3 结语
 
通过对 IGBT 门极驱动特点的分析及典型应用电路的介绍，使大家对IGBT 的应用有一定的了解。可作为设计 IGBT 驱动电路的参考。
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