高压IGBT变频器及应用

高压IGBT变频器及应用

         电力电子技术、微电子技术与控制理论的结合，有力地促进了交流变频调速技术的发展。近年来，具有驱动电路和保护功能的

智能IGBT的应用使得变频器结构更加紧凑且可靠。与其它电力电子器件相比，IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电

路和开关频率高等特点，鉴于此，开发高电压、大电流、频率高的高压IGBT并将其应用到变频调速器中以获得输出电压等级更高的装

置成为人们关注的焦点。中压变频器的研发与电力电子器件如高压IGBT、GTO、IGCT等器件研制水平和应用水平密切相关，随着高电

压、大电流IGBT的面世，给中压变频器注入了新的活力，德国西门子公司采用高压IGBT(600A～1200A/3300V～6500V)、三电平技术开

发的SIMOVERTMV系列中压变频器已在国内广泛用于有色、冶金、电力、建材、自来水、石油化工等行业并得到用户的认可，本文就第

四代IGBT的优异性能，与GTO、IGCT等电力电子器件进行了比较，结合MV系列中压变频器的特点论述了采用三电平技术获得优良的输

出电压特性，采用模块化技术以适应各种负载的需求，介绍了三电平有源前端（AFE）技术提供的四象限传动方案，并提供众多应用

选型实例说明中压变频器的方案选择与应用效果。

 高压IGBT变频器及应用

     2.
    中压变频器用电力电子器件的比较

     电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、大功率晶体管(GTR)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段，目前，常压

变频器基本上采用IGBT组成逆变电路，中压变频器中由于电路结构的不同，交—直—交变频器中逆变电路基本上由高压IGBT、GTO、

IGCT等组成，单元串联多电平变频器和中—低—中变频器型多采用低压IGBT构成。

     20世纪80年代可关断晶闸管GTO的商品化促进了交流调速技术的发展，与SCR相比其属于自关断器件，由于取消了强迫换流电路

，简化了在交流电力机车中大量采用的逆变器电路，目前GTO的容量为6000A/6000V，在电力机车调速中大多采用（3000～4000）

A/4500V，中压变频器功率范围多在（300～3500）kW以内，属于较小的功率范围。GTO开关频率较低，需要结构复杂的缓冲电路和门

极触发电路，用门极负电流脉冲关断GTO，其值接近其阳极电流的1/3，如关断3000A/4000V的GTO，需750A的门极负脉冲电流，其门极

触发电路需要多个MOSFET并联的低电感电路，而同样的高压IGBT仅需5A的导通和关断电流。GTO的工作频率低于500Hz，以

1500A/4500V的GTO为例，其开通时间为10μs，关断时间约需20μs。

     硬驱动GTO(IGCT)是关断增益为1的GTO，GTO制造工艺上是由多个小的GTO单元并联而成的，为解决关断GTO时非均匀关断和阴极

电流收缩效应，缩短关断时间，利用增加负门极电流上升率，在1μs内使负门极电流上升到阳极电流的幅值而使GTO的门极－阴极迅

速恢复阻断。将GTO外配MOSFET组成的门极驱动器组合成IGCT，实现了场控晶闸管的功能，IGCT使用过程中要求开通和关断过程尽可

能短，目前IGCT的*高水平为4000A/6000V，IGCT关断过程中仍需要di/dt缓冲器以防过电压，IGCT以GTO为基础，其工作频率应在

1kHz以下。

     随着关断能力和载流能力的提高，高压IGBT以其自保护功能强，无需吸收电路而具有广阔的应用前景。西门子公司从1988年开

始研制和应用低压IGBT，在高压IGBT的开发上也处于**地位，以目前用于MV系列的1200A/3300VIGBT为例，其栅极发射极电压仅为

15V，触发功率低，关断损耗小，di/dt、dv/dt都得到了有效控制，目前高压IGBT的研制水平为(600～1200)A/6500V，其工作频率为

（18～20）kHz。

     3 高压IGBT中压变频器的特点

     SIMOVERTMV系列中压变频器采用了实践证明具有优良性能的矢量转换磁场定向控制原理，即优化的空间矢量和脉宽调制模式，

应用高压IGBT和三电平技术而获得了优良的输出电压特性。在设计上充分考虑了各种负载情况，能适应风机、泵类，挤压机，提升机

，皮带机，活塞式压缩机，卷取机，开卷机等各种应用。应用模块化技术优化传动装置，可采用12或24脉波二极管整流器，或输入端

采用有源前端都可以获得高动态性能、高可靠性和*佳的性能价格比。