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怎样稳定直流高压发生器运行的方法

怎样稳定直流高压发生器运行的方法

为便于比较,我们可以考察一下国际整流器公司(IR)的P沟道管IRF9Z34N和N沟道管IRFZ34,二者的击穿电压均为55V。100oC时,P沟道器件的导通电阻为100mΩ,可承载12A电流;而N沟道器件的导通电阻仅为40mΩ直流高压发生器,可承载电流为18A。P沟道器件的价格大约贵两倍。
 
  提供10A峰值电流时,P沟道FET的导通压降是1V,而具有40mΩ RDSon的N沟道FET的导通压降为400mV。另一种选择是使用 PNP晶体管,但即使是这样,集电极与发射极之间的饱和压降也会达到200mV。还可以选择性能超过双极性技术的超低RDSon N沟道FET,但这种器件需要更高的栅极驱动电压。如果能够找到驱动超低RDSon N沟道FET的方法的话,上述问题将迎刃而解。
 
基站系统的LDO要求1V的压差裕量,采用ZDO可大大降低这一裕量,对于需要10A输出电流的应用,可以选择具有极低RDSon的场效应管IRF1324,其RDSon低于1mΩ,利用该FET构建的ZDO理想情况下的压差为每安培1mV。
 
  在本文提供的例子中,所使用的FET即使在*糟糕的工作条件下也能有效降低调整管的功耗,考虑到负载变化及其他因素的影响,只需100mV的压差裕量,再加上FET RDSon需要的10mV压差直流高压发生器空闲状态,可以将原来的8.5V中间电压降至7.61V。总压差为110mV直流高压发生器,10A电流对应的功耗为1.1W,节省大约9W的功率。利用表面贴装器件可直接通过PCB的覆铜区域散热,因此可以很容易解决热管理问题。总之,使用IRF1324可省去散热器,降低成本,简化安装过程,并为系统节省9W的能耗。


由此证明,液力耦合器带泵或风机进行调速传动时,其*大转差功率损耗ΔPmax发生在转速比i=2/3处,并不是转速越低,耗损越大。 
 
    虽然液力耦合器工作在低速时其调速效率很低(等于转速比),但在带泵与风机调速时,与节流调节相比较,仍具有显著的节能效果。例如某离心风机,当流量Q=190×103m3/h时,风机的轴功率为158kW,当通过节流调节使流量Q=95×103m3/h时直流高压发生器,风机的轴功率为115kW。当用液力耦合器调速时,由于流量为原流量的一半,则风机的轴功率应为其1/8。
 
但叶片式泵与风机属于M∝n2型特性负载直流高压发生器工作原理分类,采用普通鼠笼型电动机调压调速时,可以得到较大的调速范围,如图6(a)所示,当定子电压由U10降至U20、U30时,运行点由a变至b、c。c点虽交于电动机特性曲线的曲线段,但仍能稳定运行。当然,叶片式泵与风机采用高转子电阻值的鼠笼型电动机调压调速时,其调速特性会更好一些,见图6(b)所示。
 
    但以上讨论的只是理想的情况,工程实际中,水泵的静扬程Hst都不可能为零,工业风机除静压Pst不可能为零外,其叶轮的静转矩Mst就更大了,所以其负载转矩特性曲线与M轴(水平轴)的交点就会右移,这样与电动机特性曲线的曲线段基本上成平行的走向,因而没有稳定的工作点。在风机、水泵运行中,当试图降低电动机定子电压时,开始时转速变化不明显,继续降低电压则电流持续上升直流高压发生器,转速则迅速下降,直至停车,不能稳定运行。
 
实际上电动机及调压调速系统的损失,还应包括晶闸管调压装置的损失。通常,为了提高调压调速的特性和扩大调速范围,常需采用高转子电阻值的鼠笼型电动机。这种电动机的额定转差率较大,约为10%~12%,因此,它的*高转速(额定转速)仅为同步转速的88%~90%,显然,这种电动机的转子损耗大,在额定电压时效率低。因此直流高压发生器,调压调速方式的经济性比起液力偶合器、液力调速离合器等的调速方式还要差。
 
    在泵与风机的调速节能方面,调压调速适用于小容量且调速范围不大的场合,通常用于100kW以下的鼠笼式电动机调速,调速范围通常在70%~100%额定转速之间。
 
上述调速方式中,液力调速离合器调速和绕线式电动机转子串电阻调速是节能效果*好的。这是因为采用这两种调速方式时,泵与风机的*高转速仍可达到电动机未调速时的额定转速,它们在电动机额定转速的2/3时产生的转差损失为*大,这时的*大转差损失ΔPmax为0.148Pn,Pn是指泵或风机在实际工作中能达到的*高转速n2max时所需的轴功率值。
 
    液力耦合器和电磁调速离合器用在泵或风机上时直流高压发生器的功率定义,风机和水泵的*高转速就达不到电动机的额定转速。这是因为液力耦合器和电磁转差离合器与电动机连接的主动部分与泵与风机连接的被动部分间必须维持一定的转速差才能维持正常工作。设风机和水泵*高转速n2max时的转速比in=n2max/n1,对于液力耦合器in=0.97
设计中需要低RDS 场效应管(FET),以降低串联调整管的压降,从极性考虑要求使用P沟道器件。而具有相同架构的P沟道FET其导通电阻可能是N沟道FET导通电阻的两倍以上,另外,P沟道FET的价格也比较高。
 
  
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