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硅压力传感器可靠性强化试验研究

为什么我们要提出这个话题呢-硅压力传感器可靠性强化试验研究？因为在我国传感器领域该项技术研究起步较晚，压力传感器可靠性提高工作的模式依然传统，通常通过常规的可靠性测试实验，首先测试出产品的可靠性寿命，当可靠性测试出现产品失败后，再考虑结构内部原理等设计上的更改，会需要很长的时间才能获得较高的可靠性，太没效率太慢跟不上技术更新的速度了。所以我们这里一定要说说硅压力传感器可靠性强化试验研究。

首先我们谈谈可靠性强化试验的技术思想，即为技术理论上的东西，它可以指导我们行动更新目前我们的意识形态。传统的可靠性测试是基于模拟真实环境的测试方法,其特征在于:所述模拟环境,考虑设计真正的边缘向过去。缺点，这个试验方法周期长、成本高,测试的目的可靠性和加速只是识别和量化在产品的寿命的最后失败的损失和破坏机理出发,不暴露的缺陷,传统的产品和可靠性试验比较了不产生新的破坏机制。可靠性强化试验突破传统观念的可靠性试验技术的缺陷,很快就会激发试验引入可靠性测试的机制。在一个果汁阶段,通过产品,加强环境压力和工作应力可靠度验证,刺激产生故障的薄弱环节和暴露在设计、产品设计和曝光早期的失败,容易修改设计。它可以大大缩短试验时间、提高效率和降低成本的测试试验。采用这种方法比传统方法可靠性更高,更重要的是,可以在短时间内得到了早期的可靠性,传统方法的可靠性,需要长时间的增长。

其次就是硅德鲁克压力传感器的失效原理，这是实验的重中之重必须了解。我们之前有讲过硅压阻压力传感器工作原理以及应用场合。根据可靠性测试结果统计、扩散硅压力传感器失效模式主要有以下几种形式:参数漂移(零点漂移,当温度漂移、绝缘性能降低,而体内的渗漏、隔膜、焊接裂纹、结合点断开,内部部件脱落,领先的断开,参数退化等。与正常温度、机械、电器老化试验,可以作出不同的所有问题的一部分,但由于常规试验存在着所有的缺陷暴露于基本实现高可靠性的传感器。硅压力传感器故障模式及故障比统计结果表明,温度和湿度变化等环境因素导致了失败有一个大的份额。这种问题的出现,主要是在晶片表面膜吸附水分子后发生电化学腐蚀的原因和焊结合点芯片,界面可能发生电化学腐蚀水分子,这些包装材料主��来自内在的吸潮性,并引进了外界水分,无论是哪种水分吸收方式、吸吸潮率方程机制。

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