产品特点：
仪器成套组成：由主机、选配的四探针探头、测试台等部分组成。
主机主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统组成。仪器所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入；具有零位、满度自校功能；电压电流全自动转换量程；测试结果由数字表头直接显示。本测试仪特赠设测试结果分类功能，大分类10类。
探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。配专用探头，也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。
测试台选配：一般四探针法测试电阻率/方阻配SZT-A或SZT-B或SZT-C或SZT-F型测试台。二探针法测试电阻率测试选SZT-K型测试台，也可选配SZT-D型测试台以测试半导体粉末电阻率，选配SZT-G型测试台测试橡塑材料电阻率。详见《四探针仪器、探头和测试台的特点与选型参考》
仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。
仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
主要内容：
DT309-T22型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准。
技术参数：
电 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）
电 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103 Ω-cm
（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）
方块电阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 Ω/□ 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103 Ω/□
（5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□ 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103 Ω/□）
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
直 径： SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm，手持方式不限
SZT-B/C/F方测试台直接测试方式180mm×180mm，手持方式不限.
长(高)度： 测试台直接测试方式 H≤100mm, 手持方式不限.
测量方位: 轴向、径向均可
3. 量程划分及误差等级
| 满度显示 |
200.0
|
20.00
|
2.000
|
200.0
|
20.00
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2.000
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200.0
|
20.00
|
2.000
|
| 常规量程 |
kΩ-cm/□
|
kΩ-cm/□
|
Ω-cm/□
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mΩ-cm/□
|
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| 德杜大拓展量程 |
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kΩ-cm/□
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Ω-cm/□
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mΩ-cm/□
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mΩ-cm/□
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| 基本误差 |
±2%FSB
±4LSB
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±1.5%FSB
±4LSB
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±0.5%FSB±2LSB |
±0.5%FSB
±4LSB
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±1.0%FSB
±4LSB
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5.外形尺寸： 245mm（长）×220 mm（宽）×95mm（高）
净 重：≤1.5～2.0kg
