您好,欢迎来到仪表展览网!
请登录
免费注册
分享
微信
新浪微博
人人网
QQ空间
开心网
豆瓣
会员服务
进取版
标准版
尊贵版
|
设为首页
|
收藏
|
导航
|
帮助
|
移动端
|
官方微信扫一扫
微信扫一扫
收获行业前沿信息
产品
资讯
请输入产品名称
噪声分析仪
纺织检测仪器
Toc分析仪
PT-303红外测温仪
转矩测试仪
继电保护试验仪
定氮仪
首页
产品
知识
专题
词条
品牌
资料
展会
成功案例
网上展会
词多 效果好 就选易搜宝!
北京昊天成科技有限公司
新增产品
|
公司简介
注册时间:
2011-09-15
联系人:
电话:
Email:
首页
公司简介
产品目录
公司新闻
技术文章
资料下载
成功案例
人才招聘
荣誉证书
联系我们
产品目录
IGBT驱动板 驱动电路
IGBT/智能IGBT模块
IR
ABB
NIEC 英达
HITACHI 日立
SanKen 三肯
FANUC 发那科
IXYS 艾赛斯
TOSHIBA 东芝
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
可控硅/晶闸管模块
CATELEC西班牙
IR
NIEC 英达
VISHAY 威世
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
WESTCODE西玛
变频器配件专区
ABB备件
SIEMENS 西门子备件
FANUC 发那科备件
进口快速熔断器
富士FUJI
西玛
西霸
金米勒
HINODE 日之出
SIEMENS 西门子
BUSSMANN 博士曼
FERRAZ 罗兰
单相/三相整流桥模块
FUJI富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
整流二极管/快恢复二极管
APT
CATELEC 西班牙
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
圆饼状可控硅/晶闸管/二极管模块
DYNEX丹尼克斯
IR
ABB
WESTCODE 西玛
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
进口电解电容/高频无感电容
美国CDE电容
GTR达林顿模块
FUJI富士
MITSUBISHI 三菱
PRX
当前位置:
首页
>>>
技术文章
>
技术文章
如何判别ABB可控硅的损坏原因
如何判别ABB可控硅的损坏原因
当ABB可控硅损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。
下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。 以上4种原因都是可控硅的常见损坏原因,遇到可控硅损坏事件,应冷静分析。
尊敬的客户:
本公司有西门康IGBT、BUSSMANN熔断器、INFINEON模块产品,您可以通过网页拨打本公司的服务专线了解更多产品的详细信息,至善至美的服务是我们永无止境的追求,欢迎新老客户放心选购自己心仪产品,我们将竭诚为您服务!
上一篇:
如何提高IGBT模块的寿命
下一篇:
如何在薄膜电容分容机中使用IGBT模块
若网站内容侵犯到您的权益,请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除
京公网安备 11010802026078号