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IGBT模块的使用和安装

IGBT模块的用于和装置
　　IGBT是绝缘栅双极型晶体管（ Insulated Gate Bipolar Transistor ） , 它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合器件。 IGBT 将 MOSFET 与 GTR 的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。因此， IGBT 的新技术、新工艺不断有新的突破；应用频率硬开关 5KHz ～ 40KHz ，软开关 40KHz ～ 150KHz ；功率从五千瓦到几百千瓦的应用场合。 IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、自动化和智能化提供了新的机遇。为了使初次用于者正确用好 IGBT 模块，*大限度地发挥 IGBT 模块的作用，以下是*基本的用于说明。
㈠依据装置负载的工作电压和额定电流以及用于频率 , 选择合适规格的模块。用户用于模块前请详细阅读模块参数数据表，了解模块的各项技术指标；根据模块各项技术参数确定用于方案，计算通态损耗和开关损耗，选择相匹配的散热器及驱动电路。
㈡ IGBT 模块的用于
1 ．防止静电 IGBT 是静电敏感器件，为了防止器件受静电危害，应注意以下两点：
① IGBT 模块驱动端子上的黑色海绵是防静电材料，用户用接插件引线时取下防静电材料立即插上引线；在无防静电措施时，不要用手触摸驱动端子。
② 驱动端子需要焊接时，设备或电烙铁一定要接地。
2 ．选择和用于
① 请在产品的*大额定值（电压、电流、温度等）范围内用于，一旦超出*大额定值，可能损坏产品，特别是 IGBT 外加超出 Vces 的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏，请务必在 Vces 的额定值范围内用于！工作用于频率愈高 , 工作电流愈小；源于可靠性的原因，必须考虑**系数。如果用于前需要测试请务必用于适当的测试设备，以免测试损坏（特别是 IGBT 和 FRED 模块需要专业的测试设备，请勿用于非专业的设备测试其电压的*大值）。
② 驱动电路：由于 IGBT Vce(sat) 和短路耐量之间的折衷关系，建议将栅极电压选为 +VG=14 ～ 15V ， -VG=5 ～ 10V ，要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求；栅极电阻 Rg 与 IGBT 的开通和关断特性密切相关，减小 Rg 值开关损耗减少，下降时间减少，关断脉冲电压增加；反之，栅极电阻 Rg 值增加时，会增加开关损耗，影响开关频率；应根据浪涌电压和开关损耗间*佳折衷 ( 与频率有关 ) 选择合适的 Rg 值，一般选为 5 Ω至 100 Ω之间。为防止栅极开路，建议靠近栅极与发射极间并联 20K ～ 30K Ω电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线；在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源，使其驱动电路工作后再投入主电路电源。
③ 保护电路： IGBT 模块用于在高频时布线电感容易产生尖峰电压，必须注意减少布线电感和元件的配置，应注意以下保护项目：过电流保护、过电压保护、栅极过压及欠压保护、**工作区、过温保护。
④ 吸收电路：由于 IGBT 开关速度快，容易产生浪涌电压，必须设有浪涌钳位电路。
⑤ 并联用于：应考虑栅极电路、线路布线、电流不平衡和器件之间的温度不平衡等问题。
⑥ 用于时请避开产生腐蚀气体和严重尘埃的场所。
㈢装置
① 散热器应根据用于环境及模块参数进行匹配选择，以保证模块工作时对散热器的要求。
② 散热器表面的光洁度应小于 10mm ，每个螺丝之间的平面扭曲小于 10mm 。为了减少接触热阻，推荐在散热器与模块之间涂上一层很薄的导热硅脂，模块均匀受力后 , 从模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为*佳。
③ 模块装置在散热器上时，螺钉需用说明书中给出的力矩拧紧。力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。力矩过大可能损坏模块外壳或是破坏模块绝缘；
④ 仅装置一个模块时，装在散热器中心位置，使热阻效果*佳。
⑤ 装置几个模块时，应根据每个模块发热情况留出相应的空间，发热大的模块应留出较多得空间。
⑥ 两点装置紧固螺丝时，先依次紧固额定力矩的 1/3 ，然后反次达到额定力矩。
⑦ 四点装置和两点装置类似， IGBT 长的方向顺着散热器的纹路。紧固螺丝时，依次对角紧固 1/3 额定力矩，然后反次达到额定力矩。
⑧ 用于带纹路的散热器时， IGBT 长的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形。两只模块在一个散热器上装置时，短的方向并排摆放，中间留出足够的距离，主要是风机散热时减少热量迭加，容易散热，*大限度发挥散热器的效率。二是模块端子容易连接，有利于减少杂散电感，尤其高频用于时更重要。
⑨ 在连接器件时，连接模块的母线排不能给模块主端子电极造成过大的机械和热应力，以免模块电极的内部焊接断裂或电极端子发热在模块上产生过热。

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