您好,欢迎来到仪表展览网!
请登录
免费注册
分享
微信
新浪微博
人人网
QQ空间
开心网
豆瓣
会员服务
进取版
标准版
尊贵版
|
设为首页
|
收藏
|
导航
|
帮助
|
移动端
|
官方微信扫一扫
微信扫一扫
收获行业前沿信息
产品
资讯
请输入产品名称
噪声分析仪
纺织检测仪器
Toc分析仪
PT-303红外测温仪
转矩测试仪
继电保护试验仪
定氮仪
首页
产品
专题
品牌
资料
展会
成功案例
网上展会
词多 效果好 就选易搜宝!
北京昊天成科技有限公司
新增产品
|
公司简介
注册时间:
2011-09-15
联系人:
电话:
Email:
首页
公司简介
产品目录
公司新闻
技术文章
资料下载
成功案例
人才招聘
荣誉证书
联系我们
产品目录
IGBT驱动板 驱动电路
IGBT/智能IGBT模块
IR
ABB
NIEC 英达
HITACHI 日立
SanKen 三肯
FANUC 发那科
IXYS 艾赛斯
TOSHIBA 东芝
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
可控硅/晶闸管模块
CATELEC西班牙
IR
NIEC 英达
VISHAY 威世
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
WESTCODE西玛
变频器配件专区
ABB备件
SIEMENS 西门子备件
FANUC 发那科备件
进口快速熔断器
富士FUJI
西玛
西霸
金米勒
HINODE 日之出
SIEMENS 西门子
BUSSMANN 博士曼
FERRAZ 罗兰
单相/三相整流桥模块
FUJI富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
整流二极管/快恢复二极管
APT
CATELEC 西班牙
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
圆饼状可控硅/晶闸管/二极管模块
DYNEX丹尼克斯
IR
ABB
WESTCODE 西玛
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
进口电解电容/高频无感电容
美国CDE电容
GTR达林顿模块
FUJI富士
MITSUBISHI 三菱
PRX
当前位置:
首页
>>>
技术文章
>
技术文章
ABB可控硅结构
ABB可控硅结构
结构
大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:**层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管*初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR.
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
ABB可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
ABB可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。
尊敬的客户:
本公司还有IXYS可控硅、FERRAZ熔断器、INFINEON模块产品,您可以通过网页拨打本公司的服务专线了解更多产品的详细信息,至善至美的服务是我们的追求,欢迎新老客户放心选购自己心仪产品,我们将竭诚为您服务!
上一篇:
IGBT模块的散热技术发展
下一篇:
IGBT模块应用指南
若网站内容侵犯到您的权益,请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除
京公网安备 11010802026078号