您好,欢迎来到仪表展览网!
请登录
免费注册
分享
微信
新浪微博
人人网
QQ空间
开心网
豆瓣
会员服务
进取版
标准版
尊贵版
|
设为首页
|
收藏
|
导航
|
帮助
|
移动端
|
官方微信扫一扫
微信扫一扫
收获行业前沿信息
产品
资讯
请输入产品名称
噪声分析仪
纺织检测仪器
Toc分析仪
PT-303红外测温仪
转矩测试仪
继电保护试验仪
定氮仪
首页
产品
知识
专题
词条
品牌
资料
展会
成功案例
网上展会
词多 效果好 就选易搜宝!
北京昊天成科技有限公司
新增产品
|
公司简介
注册时间:
2011-09-15
联系人:
电话:
Email:
首页
公司简介
产品目录
公司新闻
技术文章
资料下载
成功案例
人才招聘
荣誉证书
联系我们
产品目录
IGBT驱动板 驱动电路
IGBT/智能IGBT模块
IR
ABB
NIEC 英达
HITACHI 日立
SanKen 三肯
FANUC 发那科
IXYS 艾赛斯
TOSHIBA 东芝
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
可控硅/晶闸管模块
CATELEC西班牙
IR
NIEC 英达
VISHAY 威世
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
WESTCODE西玛
变频器配件专区
ABB备件
SIEMENS 西门子备件
FANUC 发那科备件
进口快速熔断器
富士FUJI
西玛
西霸
金米勒
HINODE 日之出
SIEMENS 西门子
BUSSMANN 博士曼
FERRAZ 罗兰
单相/三相整流桥模块
FUJI富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
整流二极管/快恢复二极管
APT
CATELEC 西班牙
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
圆饼状可控硅/晶闸管/二极管模块
DYNEX丹尼克斯
IR
ABB
WESTCODE 西玛
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
进口电解电容/高频无感电容
美国CDE电容
GTR达林顿模块
FUJI富士
MITSUBISHI 三菱
PRX
当前位置:
首页
>>>
技术文章
>
技术文章
IGBT模块的静态特性
IGBT模块
的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT模块的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT,正向电压由J2结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内,Id与Ugs呈线性关系。*高栅源电压受*大漏极电流限制,其*佳值一般取为15V左右。
IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为IGBT总电流的主要部分。
尊敬的客户:
您好,我司致力为广大用户提供高品质产品、完整的解决方案和上等的技术服务。主要产品有INFINEON模块,FERRAZ熔断器,DYNEX,BUSSMANN熔断器等等。您可以通过网页拨打本公司的服务专线了解更多产品的详细信息,至善至美的服务是我们不断的追求,欢迎新老客户放心选购自己心仪产品,我们将竭诚为您服务!
上一篇:
FERRAZ熔断器的结构与功能特点
下一篇:
IGBT模块驱动保护要点
若网站内容侵犯到您的权益,请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除
京公网安备 11010802026078号