您好,欢迎来到仪表展览网!
请登录
免费注册
分享
微信
新浪微博
人人网
QQ空间
开心网
豆瓣
会员服务
进取版
标准版
尊贵版
|
设为首页
|
收藏
|
导航
|
帮助
|
移动端
|
官方微信扫一扫
微信扫一扫
收获行业前沿信息
产品
资讯
请输入产品名称
噪声分析仪
纺织检测仪器
Toc分析仪
PT-303红外测温仪
转矩测试仪
继电保护试验仪
定氮仪
首页
产品
专题
品牌
资料
展会
成功案例
网上展会
词多 效果好 就选易搜宝!
北京昊天成科技有限公司
新增产品
|
公司简介
注册时间:
2011-09-15
联系人:
电话:
Email:
首页
公司简介
产品目录
公司新闻
技术文章
资料下载
成功案例
人才招聘
荣誉证书
联系我们
产品目录
IGBT驱动板 驱动电路
IGBT/智能IGBT模块
IR
ABB
NIEC 英达
HITACHI 日立
SanKen 三肯
FANUC 发那科
IXYS 艾赛斯
TOSHIBA 东芝
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
可控硅/晶闸管模块
CATELEC西班牙
IR
NIEC 英达
VISHAY 威世
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
WESTCODE西玛
变频器配件专区
ABB备件
SIEMENS 西门子备件
FANUC 发那科备件
进口快速熔断器
富士FUJI
西玛
西霸
金米勒
HINODE 日之出
SIEMENS 西门子
BUSSMANN 博士曼
FERRAZ 罗兰
单相/三相整流桥模块
FUJI富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
整流二极管/快恢复二极管
APT
CATELEC 西班牙
DYNEX 丹尼克斯
FUJI 富士
IR
NIEC 英达
SanRex 三社
IXYS 艾赛斯
MITSUBISHI 三菱
SEMIKRON 西门康
圆饼状可控硅/晶闸管/二极管模块
DYNEX丹尼克斯
IR
ABB
WESTCODE 西玛
SEMIKRON 西门康
Infineon英飞凌 EUPEC欧派克
进口电解电容/高频无感电容
美国CDE电容
GTR达林顿模块
FUJI富士
MITSUBISHI 三菱
PRX
当前位置:
首页
>>>
技术文章
>
技术文章
IGBT模块使用注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是(IGBT模块)IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:
在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;
在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;
尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极*大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。
在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,*好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热**时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
尊敬的客户:
本公司有IXYS可控硅、ABB可控硅、INFINEON模块产品,您可以通过网页拨打本公司的服务专线了解更多产品的详细信息,至善至美的服务是我们的追求,欢迎新老客户放心选购自己心仪产品,我们将竭诚为您服务!
上一篇:
BUSSMANN熔断器简单介绍
下一篇:
BUSSMANN熔断器常见种类
若网站内容侵犯到您的权益,请通过网站上的联系方式及时联系我们修改或删除
京公网安备 11010802026078号