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IGBT模块的常识及使用注意事项

IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年代迅速发展起来的新型复合电力电子元件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的，其输入级为MOSFET，输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种元件的优点，既具有MOSFET元件输入阻抗高响应速度快热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型元件通态电源低耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、**率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电源来控制IGBT管的。当栅极加正电源时，OSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降在栅极上加负电源时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断 IGBT管与MOSFET一样也是电源控制型元件，在它的栅极发射极间施加十几伏的直流电源，只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。

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