西门康IGBTSKM100GB12T4G两单元封装,芯片使用SPT技术,饱和压降约为2.0伏左右,开关损耗比NPT技术的IGBT模块降低20%左右,西门康IGBTSKM100GB12T4G完全可以在逆变焊机中使用,西门康IGBTSKM100GB12T4G可以使用在315安到500安的电焊机中,.5千瓦以上的变频器中等。
SKM50GAL123D、SKM75GAL123D、SKM100GAL123D、SKM145GAL123D、
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