西门康IGBTSKM150GB12T4G两单元封装,芯片使用SPT技术,饱和压降约为2.0伏左右,开关损耗比NPT技术的IGBT模块降低20%左右,西门康IGBTSKM150GB12T4G完全可以在逆变焊机中使用,西门康IGBTSKM150GB12T4G可以使用在315安到500安的电焊机中,.5千瓦以上的变频器中等。
京公网安备 11010802026078号