西门康IGBTSEMIX453GAR12E4s

西门康IGBTSEMIX453GAR12E4s两单元封装,芯片使用SPT技术,饱和压降约为2.0伏左右,开关损耗比NPT技术的IGBT模块降低20%左右，西门康IGBTSEMIX453GAR12E4s完全可以在逆变焊机中使用,西门康IGBTSEMIX453GAR12E4s可以使用在315安到500安的电焊机中,.5千瓦以上的变频器中等。

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