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扩散硅压力变送器工作原理及选购须知

    扩散硅压力变送器采用半导体硅作感压元件，硅半导体材料具有压阻效应，在压力作用下，硅晶格间隙发生变化，导致载流子迁移率的改变，从而引起电导率变化。对于半导体电阻体，当机械变形时，电阻率的相对变化率远大于外形尺寸L、A的相对变化率，其电阻变化率主要是压阻效应造成，当半导体压阻片与弹性元件处于一体，受压而发生同一应变时，应变量c与被测压力p成正比，说明半导体压阻片的电阻变化率与被测压力成正比，由此可测出压力的变化。当被测压力(差压)在全量程范围内波动时(相应压敏电阻变化量为△R)，变送器输出统一信号为4—20mA。
    扩散硅压力变送器采用IC(集成电路)技术直接在硅膜上扩散形成应变测量桥路元件。因此体积可做得很小。扩散硅压力变送器具有**度高，直接输出直流信号，线性度好，适用温度范围广，重量轻，体积小，结构简单等特点，可用于静压、动态压力测量。
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