产品名称：CY-in-line磁控溅射系统

CY-in-line磁控溅射系统设备用途：

用于在晶体硅表面沉积金属薄膜（Al、Ag、Ni、Cu、Ti、Pd等），并能够实现反应溅射，可完成高、低真空下磁控溅射镀膜工艺，具备较大尺寸和多种尺寸规格的晶体硅光伏电池薄膜的连续制备能力。

CY-in-line磁控溅射系统技术参数：

型号		CY-in-line
主溅真空室		方形真空室，尺寸Ø 1000×700×350mm
进样室		圆筒型，卧室，尺寸Ø 250×420mm
真空系统配置		分子泵与机械泵，闸板阀
极限压力	主溅射室	≦8*10-5Pa（经烘烤除气后）
	进样室	≦6.6*10-4Pa（经烘烤除气后）
恢复真空时间	主溅射室	40分钟可达到6.6*10-4Pa（系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气）
	进样室	40分钟可达到6.6*10-3Pa（系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气）
磁控靶组件		矩形靶尺寸约450*45mm；靶与样品距离80mm可调
基片加热台	基片结构	尺寸125*125mm或156*156mm，可一次安装4片样品
	加热温度	室温~400Ｃ±2  C，可控可调
气路系统		质量流量控制器3路
设备占地面积	主机	2655 * 930mm2
	电控柜	700 *700mm2（两个）

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