高真空磁控溅射镀膜仪设备用途：

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

高真空磁控溅射镀膜仪技术参数：

真空室		梨型真空室，尺寸Ø 560×350mm
真空系统配置		复合分子泵、机械泵、闸板阀
极限压力		2.0 * 10-5 Pa （经烘烤除气后）
恢复真空时间：		40 分钟可达到6 .6*10-4 Pa 。（系统短时间暴露大气并充入干燥氮气后开始抽气）
磁控靶组件		永磁靶5套；靶材尺寸Ø60mm（其中一个可溅射磁性材料）；各靶射频滩射和直流裁射兼容；靶内水冷；靶与样品距离 90~130mm可调；
基片水冷加热公转台	基片结构	设计6个工位，其中１个工位安装加热炉，其余工位为水冷基片台
	样品尺寸	Ø30mm，可放置6片
	运动方式	0˜360℃往复回转
	加热	基片加热*高温度600℃±1℃
	基片负偏压	－200Ｖ
气路系统		质 量 流 量 控制器 2 路
计算机控制系统		控制样品转动，挡板开关，靶位确认等
设备占地面积	主机	1300×800mm2
	电控柜	700×700m2

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