产品名称：等离子增强CVD系统

产品介绍：

      等离子增强CVD系统由等离子发生器，三温区管式炉、单温区管式炉、射频电源、真空系统组成。等离子增强CVD系统为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）， 该PECVD石墨烯薄膜制备设备借助13.56Mhz的射频输出等使含有薄膜组成原子的气体电离，在真空腔体内形成等离子体，利用等离子的强化学活性，改善反应条件，利用等离子体的活性来促进反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

等离子增强CVD系统适用范围：

等离子增强CVD系统可以用于：石墨烯制备、硫化物制备、纳米材料制备等多种试验场所。可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高duan装饰等领域。 

等离子增强CVD系统技术参数： 

三 温 区 管 式 炉	产品型号	CY-PECVD50R-1200-Q
	炉管材质	高纯石英
	炉管直径	50mm
	炉管长度	2830mm
	炉膛长度	660mm
	加热区长	200mm+200mm+200mm
	工作温度	0～1100℃
	控温精度	±1℃
	控温模式	30段或50段程序控温
	显示模式	LCD
	密封方式	304不锈钢真空法兰
	法兰接口	1/4英寸卡套接头，KF16/25/40接头
	可抽真空	4.4E-3Pa
	供电电源	AC:220V 50/60Hz
单 温 区 管 式 炉	产品型号	CY-O1200-50IT
	炉管材质	高纯石英
	炉管直径	50mm
	炉管长度	2830mm
	炉膛长度	440mm
	加热区长	400mm
	恒温区长	200mm
	工作温度	0～1100℃
	控温精度	±1℃
	控温模式	30段或50段程序控温
	显示模式	LCD
	密封方式	304不锈钢真空法兰
	法兰接口	1/4英寸卡套接头，KF16/25/40接头
	可抽真空	4.4E-3Pa
	供电电源	AC:220V 50/60Hz
RF 输 出 系 统	功率范围	0~500W可调
	工作频率	13.56MHz+0.005%
	工作模式	连续输出
	显示模式	LCD
	匹配阻抗模式	能够匹配，起辉均匀布满三温区炉管
	功率稳定度	≤2W
	正常工作反射功率	≤3W
	放大反射功率	≤70W
	谐波分量	≤-50dBc
	整机效率	≥70%
	功率因素	≥90%
	供电电压/频率	单相交流（187V~153V） 频率50/60Hz
	控制模式	内控/PLC 模拟量/RS232/485通讯
	电源保护设置	DC过流保护，功放过温保护，反射功率保护
	冷却方式	强制风冷
	起辉长度	在Ar下射频电源与线圈配合起辉辉光能布满三个温区的炉体长度
供 气 系 统	四路质子流量计	质子流量计
	流量范围	MFC1量程：0~200sccm  MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm  MFC4量程：0~500sccm 分别对应气体H2、 CH4、 N2、 Ar、
	测量精度	±1.5%F.S
	重复精度	±0.2%FS
	线性精度	±1%F.S.
	响应时间	≤4s
	工作压力	-0.15Mpa~0.15Mpa
	流量控制	液晶触摸屏控制，数字显示，每路气体含有针阀单独控制
	进气接口	可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管
	出气接口	可接1/4NPS或者外径6mm不锈钢管
	连接方式	双卡套接头
	工作温度	5~45℃
	气体预混	配气体预混装置
	供电电源	AC:220V 50/60Hz
排 气 系 统	机械泵	旋片泵
	抽气速率	1.1L/S
	排气接口	KF16
	真空测量	电阻规
	极限真空	1.0E-1Pa
	供电电源	AC:220V 50/60Hz
	抽气接口	KF16
轨道	轨道长度	3米，能实现三温区炉子一个炉位长度的滑动，实现快速升降温

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