产品名称：卤素灯RTP退火炉

卤素灯RTP退火炉是一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择.

卤素灯RTP退火炉技术特色：

 • 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿

• 红外卤素管灯加热

• 极其优异的加热温度**性与均匀性

• 快速数字PID温度控制

• 不锈钢冷壁真空腔室

• 系统稳定性好

• 结构紧凑，小型桌面系统

• 带触摸屏的PC控制

• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路气体（MFC控制）

• 没有交叉污染，没有金属污染

真实基底温度测量技术介绍:

如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。

  卤素灯RTP退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。

技术参数：

产品名称	卤素灯RTP退火炉
产品型号	CY-RTP1000-Φ150-T
基片尺寸	6英寸
基片基座	石英针（可选配SiC涂层石墨基座）
温度范围	150-1250℃
加热速率	10-150℃/S
温度均匀性	≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
温度控制精度	≤ ±3℃
温度重复性	≤ ±3℃
真空度	5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
气路供应	标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（*多可选3路）
退火持续时间	≥35min@1250℃
温度控制	快速数字PID控制
尺　　寸	870mm*650mm*620mm

基片类型:

• Silicon wafers硅片

• Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

• GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片

• Silicon carbide wafers碳化硅基片

• Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

• Glass substrates玻璃基片

• Metals金属

• Polymers聚合物

• Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

卤素灯RTP退火炉应用领域：

离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等