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本设备为偏置靶型单靶磁控镀膜仪，磁控靶偏置于腔体一侧，溅射范围可覆盖样品台一半，通过样品台旋转可以实现更大样品的均匀镀膜。理论*大支持样品直径为180mm。设备外形为桌面级别，大大减少了安装场地需求。设备配有一个直流电源，可用于金属及其他导电材料的溅射。设备真空系统采用涡轮分子泵组，抽气速度快，极限真空度高，真空性能优异。本设备结构紧凑功能完善便于使用，非常适合用于各类镀膜试验。
偏置靶型单靶磁控镀膜仪技术参数：
CY-MSZ300G-I-DC-Q 桌面型大腔体偏置靶单靶磁控镀膜仪
样品台
尺寸
φ150mm
转速
转速0-20rpm可调
磁控溅射靶
数量
2” x1 偏置于腔体一侧
真空腔体
腔体尺寸
φ300mm X 200mm
观察窗口
全向可视
腔体材料
高纯石英
开启方式
顶盖拆卸式
下法兰
装有旋转式样品台及进出气口
真空系统
机械泵
双级旋片泵
抽气接口
KF16
分子泵
涡轮分子泵
抽气接口
KF40
真空测量
电阻规+电离规复合真空计
排气接口
KF40
极限真空
1.0E-3Pa
供电电源
AC 220V 50/60Hz
抽气速率
前级泵 1.1L/s 分子泵：60L/S
电源配置
数量
直流电源 x1
*大输出功率
直流电源300W
其他
供电电压
AC220V,50Hz
整机尺寸
500mm X 320mm X6200mm
整机功率
2kW
