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主要功能及特点:
PECVD设备利用平板电容式辉光放电原理,将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体,被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应,由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发和电离,促进反应活性基团的生成,从而降低沉积温度,在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。可根据工艺调节等离子体的密度和能量,控制薄膜的生长速率和微结构。
产品参数:
产品型号 |
CY-PECVD-240T-SS化学气相沉积设备 |
安装条件 |
本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水) 2、电:AC220V 50Hz,必须有良好接地 3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验所需气体气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀 4、通风装置:需要 |
主要特点 |
1、所需成膜温度低 2、沉积速率快,应用广泛 3、体积小,操作简便 4、采用射频为增强源易于控制 5、清理安装便捷。 6、一体化触摸屏控制 |
射频电源 |
信号频率:13.56MHz±0.005% 功率输出:0~500W 反射功率:<3W(*大功率) 功率稳定性:±0.1% |
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真空腔体 |
采用样品台在下方,供气喷头在上方的电容耦合方式。 样品台加热:RT-1000℃以上,温控精度:±1°C 样品台转速:可调转速:1-20rpm可调 喷淋头:Φ100mm 间距40-100mm在线连续可调 样品台:直径100mm 真空腔体:前开门式,φ245mm X 300mm 不锈钢材质 观察窗:φ100mm 带挡板 |
供气系统 |
测量范围 A通道: 0~200SCCM,气体为 Ar B通道: 0~200SCCM,气体为O2 C通道: 0~200SCCM,气体为N2 液体源:氩气或者氮气 接头规格:6.35mm卡套接头 |
真空系统 |
接口类型 吸气口:KF40 排气口:G1” 排气速度 氮气:60L/S 带保护网时氮气:55L/S 轴承类型:陶瓷轴承,脂润滑 冷却方式:强制空冷 速度:69000rpm 启动时间:1.5〜2min 停止时间:15〜25min 压缩比N2:2x 107 压缩比H2:3x 103 *大允许背压:800Pa 轴承寿命为:20000小时 分子泵控制器:TC75 辅助泵类型:双级旋片真空泵 排气速度:160L/min |
沉积工作室 |
0.133-40Pa(可根据工艺调整) |
真空计 |
复合真空计 |
水冷机 |
水流速:10L/min 功率:0.1Kw 冷却水温度:<37℃ |
质保期 |
标准保修期1年 |