产品详情
  • 产品名称:等离子增强化学气相沉积设备

  • 产品型号:CY-PECVD-240T-SS
  • 产品厂商:成越科仪
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简单介绍:
化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜
详情介绍:
化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
主要功能及特点:
PECVD设备利用平板电容式辉光放电原理,将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体,被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应,由于等离子体存在,促进气体分子的分解、化合、激发和电离,促进反应活性基团的生成,从而降低沉积温度,在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。可根据工艺调节等离子体的密度和能量,控制薄膜的生长速率和微结构。
产品参数:

产品型号

CY-PECVD-240T-SS化学气相沉积设备

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC220V 50Hz,必须有良好接地

3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验所需气体气瓶(自带Ø10mm双卡套接头)及减压阀

4、通风装置:需要

主要特点

1、所需成膜温度低

2、沉积速率快,应用广泛

3、体积小,操作简便

4、采用射频为增强源易于控制

5、清理安装便捷。

6、一体化触摸屏控制

射频电源

信号频率:13.56MHz±0.005%

功率输出:0~500W

反射功率:<3W(*大功率)

功率稳定性:±0.1%



真空腔体

采用样品台在下方,供气喷头在上方的电容耦合方式。

样品台加热:RT-1000℃以上,温控精度:±1°C

样品台转速:可调转速:1-20rpm可调

喷淋头:Φ100mm 间距40-100mm在线连续可调

样品台:直径100mm

真空腔体:前开门式,φ245mm X 300mm 不锈钢材质

观察窗:φ100mm 带挡板

供气系统

测量范围   

A通道: 0200SCCM,气体为 Ar

B通道: 0200SCCM,气体为O2

C通道: 0200SCCM,气体为N2

液体源:氩气或者氮气

接头规格:6.35mm卡套接头

真空系统

接口类型    吸气口:KF40 

排气口:G1

排气速度

氮气:60L/S

带保护网时氮气:55L/S

轴承类型:陶瓷轴承,脂润滑

冷却方式:强制空冷

速度:69000rpm

启动时间:1.52min

停止时间:1525min

压缩比N22x 107

压缩比H23x 103

*大允许背压:800Pa

轴承寿命为:20000小时

分子泵控制器:TC75

辅助泵类型:双级旋片真空泵

排气速度:160L/min

沉积工作室

0.133-40Pa(可根据工艺调整)

真空计

复合真空计

水冷机

水流速:10L/min

功率:0.1Kw

冷却水温度:<37

质保期

标准保修期1



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