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1200℃RTP退火炉是一款12寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制**，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。
技术特色：
• 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿
• 红外卤素管灯加热
• 极其优异的加热温度**性与均匀性
• 快速数字PID温度控制
• 不锈钢冷壁真空腔室
• 系统稳定性好
• 带触摸屏的PC控制
• 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr
• *高3路气体（MFC控制）
• 没有交叉污染，没有金属污染
技术参数：
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产品名称 |
1200℃RTP退火炉 |
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产品型号 |
CY-RTP1000-Φ300-T |
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基片尺寸 |
12英寸 |
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基片基座 |
石英针（可选配SiC涂层石墨基座） |
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温度范围 |
150-1200℃ |
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加热速率 |
10-150℃/S |
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温度均匀性 |
≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
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温度控制精度 |
≤ ±3℃ |
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温度重复性 |
≤ ±3℃ |
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真空度 |
5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
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气路供应 |
标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（*多可选3路） |
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退火持续时间 |
≥10min@1200℃ |
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温度控制 |
快速数字PID控制 |
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尺 寸 |
890mm*950mm*1400mm |
