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等离子增强原子层沉积(PEALD)系统是一种先进的薄膜沉积技术,结合了等离子体和原子层沉积(ALD)的优点,以实现更高的薄膜质量、更低的沉积温度和更广泛的材料兼容性。PEALD系统在微电子、光电器件、表面工程等领域中有着广泛的应用。
产品特点:
1.等离子体增强反应:
PEALD系统通过引入等离子体来激发反应气体,使得在较低温度下即可实现薄膜的沉积。这使得PEALD系统特别适合用于沉积对温度敏感的材料,如有机物或柔性基板上的薄膜。
2.更高的薄膜密度与纯度:
由于等离子体能够提供高能量的反应物质,PEALD系统可以在较低温度下沉积出高密度、高纯度的薄膜,减少了薄膜中的缺陷和杂质。
3.优异的膜厚均匀性:
PEALD保留了传统ALD的优势,能够在复杂的三维结构和高纵横比的基板上实现均匀的薄膜覆盖,这在器件微缩和纳米结构制造中尤为重要。
4.灵活的工艺控制:
PEALD系统允许独立控制等离子体生成和ALD前驱体脉冲的时间,提供了极大的工艺灵活性。通过调节等离子体功率、时间和气体流量,可以优化不同材料的沉积条件。
5.广泛的材料兼容性:
PEALD系统适用于沉积各种材料,包括氧化物、氮化物、硫化物、金属等,特别适合沉积氮化硅(SiNx)、氮化铝(AlN)、氮化钛(TiN)等材料。
6.低温沉积:
与传统的热ALD系统相比,PEALD能够在较低温度下沉积高质量的薄膜,这对于在温度敏感基板(如聚合物基板)上的应用至关重要。
技术参数:
型号 |
CY-PEALD-150R |
反应腔 |
可以生长*大 6 英寸样品的标准腔体,标准*大样品高度 6mm;(超高样品选件可按用户要求定制,为可选件),DualOTM 氮气保护的双O-Ring 高温密封系统,隔绝其他气体渗漏。基底加热温度 RT-400℃可控,控制精度±1℃;腔体烘烤温度 RT-200℃可控,控制精度±1℃ |
沉积模式 |
包括以下 3 种工作模式: 高速沉积的连续模式 TM (Flow TM ) 沉积超高宽深比结构的停流模式TM(StopFlow TM ) 等离子体增强模式 |
前驱体源 |
共 5 路前驱体源;1 路为常温源,4 路为加热源,加热温度 RT-200℃可控,控制精度±1℃;加热源配备高温手动阀;标准前驱体源瓶体积 50cc。 1 路为常温源可接水/臭氧/氧气/氨气/H2S 源等,制备氧化物,氮化物和硫化物。任意一路加热源可接相关前驱体源。 |
前驱体管路 |
所有前驱体管路全部采用 316L 不锈钢 EP 级管路,所有管路加热温度RT-150℃可控。 |
ALD 阀 |
每一路前驱体配置一个原子层沉积专用高速高温 ALD 阀;ALD 阀采用系统集成的表面安装,维修更换时可以用盲板代替;阀体加热温度RT-150℃可控 |
真空规 |
进口宽范围真空规,测量范围 2x10-4 to 103torr |
排气管路 |
排气管路加热温度 RT-150℃可控;配置截止阀一个,加热温度 RT-150℃可控。 |
臭氧发生器系统 |
高浓度臭氧发生器,包括管路,裂解器附件;*高产量>15g/h,功率0~300W可调,*大浓度>3.5%(w/w) |
选配微波等 离子体系统 |
自动匹配微波等离子体源系统; 包括:微波电源输出功率 0 到 200W 可调;超快速等离子体发生器*短可在 200ms 内完成稳定的等离子启辉; 2路等离子体源, 一路为Ar配备质量流量计(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等气体脉冲供气,可任意切换。 |
控制硬件 |
PLC 控制系统。 |
控制软件 |
autoALDTM专用软件全自动控制加热、流量、等全部沉积过程,以及温度、压强等实时监控。 |
真空机械泵 |
型号:TRP-6。 |
保修 |
1 年免费保修,自验收之日起。 |
安装培训 |
工程师现场安装培训。 |
主要部件:
部件名称 |
部件说明 |
主机 |
标准6 英寸原子层沉积系统 包括: 5路前驱体源, 包括管路、高温ALD阀门、50ml 源瓶, 4路为加热源,1路为常温源 沉积自动控制系统, autoALDTM沉积程序控制软件, 预装Windows TM的笔记本电脑, |
臭氧发生器系统 |
高浓度臭氧发生器,包括管路,裂解器附件*高产量>15g/h,*大浓度>3.5%(w/w) |
选配微波等离子 体系统 |
自动匹配微波等离子体源系统; 包括:微波电源输出功率 0 到200W 可调;超快速等离子体发生器*短可在 200ms 内完成稳定的等离子启辉; 2路等离子体源, 一路为Ar配备质量流量计(MFC),其他H2,O2, N2, NH3,H2S等气体脉冲供气,可任意切 换。 |
真空机械泵系统 |
机械泵与相关管路 真空机械泵型号:北仪优成 TRP-6 |
应用领域:
1. 半导体制造
高k电介质和金属栅极:PEALD用于在晶体管中沉积高k材料(如HfO₂、ZrO₂),以及金属栅极材料(如TiN),以提高器件性能,减少漏电流。
铜互连阻挡层和衬垫层:PEALD可以沉积低温、高质量的阻挡层(如TiN、TaN),用于防止铜在互连结构中扩散。
钝化层:在集成电路和其他微电子器件中,沉积钝化层以保护器件表面免受外界环境的影响,延长器件寿命。
2. 光电器件
太阳能电池:PEALD在薄膜太阳能电池(如CIGS、CdTe、硅基太阳能电池)中沉积钝化层或缓冲层(如Al₂O₃、ZnO),以提高光电转换效率和稳定性。
LED和OLED:用于发光二极管(LED)和有机发光二极管(OLED)中沉积透明导电氧化物(如ZnO、SnO₂)或缓冲层,以提升发光效率和寿命。
3. 纳米技术
纳米结构涂层:PEALD可以在复杂的纳米结构(如纳米线、纳米管、量子点)上沉积均匀的薄膜,用于调控其电学、光学和机械性能。
纳米器件制造:在制造纳米级别的电子和光子器件中,PEALD提供了**的材料厚度控制,适合制作超薄的功能性层。
4. 表面工程和防护涂层
抗腐蚀涂层:在金属表面沉积抗腐蚀涂层(如Al₂O₃、TiO₂),用于提高材料在腐蚀性环境中的耐久性,广泛应用于航空航天、化工设备等领域。
生物医学应用:在植入物和其他生物医学器械上沉积生物相容性涂层,改善植入物与人体组织的相容性,减少排斥反应。
5. 柔性电子
柔性显示屏:PEALD在低温下沉积高性能的薄膜,用于柔性显示屏(如OLED、电子纸)中的电极或保护层。
可穿戴设备:用于沉积薄膜保护层或功能层,以增强柔性和可穿戴设备的耐用性和性能。
6. 能源存储与转换
锂离子电池:PEALD在电极材料(如LiCoO₂、LiNiMnCoO₂)和电解质界面沉积保护层,以延长电池寿命并提升充放电性能。
燃料电池和超级电容器:用于沉积催化剂层和保护层,提升燃料电池的效率和超级电容器的能量密度。
7. 传感器技术
气体传感器:在传感器的活性层或敏感层上沉积功能性薄膜(如ZnO、TiO₂),以提高传感器对特定气体的检测灵敏度和选择性。
生物传感器:用于沉积功能性薄膜,增强生物传感器对目标分子的识别和检测能力。
8. 光学元件
抗反射涂层:在光学元件上沉积抗反射涂层(如SiO₂、Al₂O₃),以减少光损失并提高透过率,广泛应用于光学仪器、摄像设备等。
滤光片和镜头:PEALD可以沉积**控制厚度的薄膜,用于制作滤光片、反射镜等光学元件。
9. 显示技术
薄膜晶体管(TFT):用于在液晶显示器(LCD)、OLED显示器中制造薄膜晶体管,提升显示器的分辨率和性能。
触摸屏技术:在触摸屏中,沉积透明导电薄膜(如ITO、ZnO),提高触摸屏的导电性和耐用性。
应用案例(在PET膜上沉积SiO2):
在PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜上使用等离子增强原子层沉积(PEALD)技术沉积二氧化硅(SiO₂)的步骤需要特别注意温度控制和等离子体条件,以确保对PET这种温度敏感材料的保护