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真空磁控溅射镀膜系统设备用途:
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
真空磁控溅射镀膜系统技术参数:
真空室 |
圆筒型前开门结构,尺寸Ø450×40mm |
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真空系统配置 |
复合分子泵、机械泵、气动闸板阀、进口SMC气缸节流阀 |
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极限压力 |
≤6.6 *10-6 Pa。(经烘烤除气后) |
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恢复真空时间 |
25 分钟可达到≤6.6×10-6 Pa。(短时间撰兹大气并充入干燥氮气后开始抽气) |
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磁控靶组件 |
永磁靶三套;靶材尺寸Ø60mm(其中一个可溅射磁性材料);各靶射频滩射和直流裁射兼容;靶内水冷;三个靶可共同折向上面的样品中心;靶与样品距离 90~130mm可调;每个靶配进口 SMC 旋转气动挡板 |
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单基片加热台 |
样品尺寸 |
Ø4英寸 |
运动方式 |
基片可连续回转,转速 0-30 转/分 |
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加热 |
进口加热丝加热,zui高加热温度 600℃ ±1℃ |
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挡板形式 |
进口 SMC 转角气缸控制 |
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气路系统 |
质 量 流 量 控制器 2 路 |
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计算机控制系统 |
采用 PLC +工控机+触摸屏全自动控制方式 |
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可选配件 |
膜厚仪、气泵、水冷循环机 |
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设备占地面积 |
主机 |
I000×1800mm2 |
电控柜 |
900×600mm2 |