为什么有些半导体器件的生产工序要在真空中进行

工艺设备腔体内的真空度是一方面要满足辉光放电的起辉条件，另一方面避免粒子碰撞过多导致动量损失。等离子体化学气相沉积、磁控溅射、干法刻蚀等工艺设备，都是先给个电压让腔体内反应气体离化，形成腔体内等离子体通路和外部电极的电流回路。如果气压过低也就是粒子太少，内部电流通路就无法形成，无法辉光自持。如果气压过高，等离子体在向样品表面移动过程中粒子碰撞，发生动量的方向发散和大小损失，也能影响起辉（撞不开了），对干刻速率等工艺效果有影响。

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