霍尔效应实验仪—高低温磁场型

产品概述：

本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。

可测试材料: 

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技术指标:

*  电磁铁磁场：10mm间距为2T 、 30mm间距为1T

*  样品电流：0.05uA~50mA(调节 0.1nA)

*  测量电压：0.1uV~30V

*  提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）

*  分辨率极小值：0.1GS

*  磁场范围：0-1T

* 配合高斯计或数采板可计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等

*  霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线

* 电阻率范围：5*10^-5～5*10²Ω.cm

*  电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms

*  载流子浓度：5*10¹²～51*10²⁰cm^-3

* 霍尔系数：±1*10^-2～±1*10⁶cm³/C

*  迁移率：0.1~10⁸cm²/volt*sec

*  温度调节 0.1K

*  温区：78K-475K,室温-773K（选配）

*  测试全自动化，一键处理

*  可实现相同温差间的连续测量