PT100铂电阻温度传感器
※ 40K 以上受磁场影响较小;
※ 受电离辐射影响极小; v
※ 提供两点或三点或多点校准。
参数
※ 温度范围:14K ~ 873K
※ 标准曲线:IEC 751
※ 推荐激励电流:1mA
※ 推荐激励下的耗散功率:100μW@273K
※ 灵敏度:遵循PT100典型灵敏度曲线
※ 响应时间:1.5S@77K,10S@273K
※ 辐射影响:可以在辐射环境下使用
※ 磁场影响:不推荐40K以下的磁场环境中使用
※ 重复性:±10 mK@77K(通过100次300K到77K 的热冲击测试而来)
典型特征曲线
典型温度和电阻关系:
温度
R(Ω)
S(Ω/K)
20K
2.2913
0.085
50K
9.3865
0.360
77k
20.380
0.423
150K
50.788
0.409
300K
110.354
0.387
600K
221.535
0.372
800K
289.789
20-77K
77-305K
305 -400K
400-475K
475-500K
2P
±0.25K
±0.9K
±1.3K
±1.4K
3P
±0.1K
20L
20H
70L
70H
2P:77K和273K标定 3P:77K、273K和475K标定
PT100物理尺寸
引线:2根
质量:17mg
封装形式:薄膜铂封装在陶瓷片内
京公网安备 11010602006210号