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用于消除应力的快速热退火需要红外高温监测
热退火是一种重要的半导体制造方法，它涉及将晶圆加热到高温以改变其电气性能并减轻硅中的应力。快速热处理是该方法的关键部分，有助于实现掺杂剂激活和晶体修复而不会产生显著扩散，从而提高工艺效率。
传统上，热退火工艺通常在惰性环境中使用传统的电阻加热管炉进行。退火工艺的正常温度范围在 900°C 至 1100°C 之间。对于多晶硅退火，下限扩展到约 700°C。用于掺杂剂激活和晶体损伤修复的炉退火工艺可能需要在 900°C 下进行 30 分钟。
快速热退火 (RTA)，也称为快速热处理，代表了一项重大进步。它将硅晶片加热到超过 1000°C 的温度几秒钟，然后缓慢冷却以防止热冲击和晶片破损。这些信息可让您随时了解您所在领域的*新情况。
各种设施采用不同的热处理方法，例如石英管灯、感应加热和电阻涂层。
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