半导体稳态湿热高压偏置试验（二）

受试器件应以一定的方式安装、暴露在规定的温湿度环境中，并施加规定的偏置电压。器件应避免暴露于过热、干燥或导致器件和工装夹具上产生冷凝水的环境中，尤其在试验应力上升和下降过程中。

实验程序：

1、预处理

适用时，应按照相关标准进行预处理。

2、初始检测

试验样品应按照相关标准规定，进行外观检查和电气参数测试。

3、上升

达到稳定的温度和相对湿度的时间应少于3h。通过保证在整个试验时间内高低温湿热试验箱的干球温度超过湿球温度来避免产生冷凝。

4、下降

下降时间应不超过3h。通过保证在整个试验时间内高低温湿热试验箱的干球温度超过湿球温度来避免产生冷凝。

5、器件内部湿气稳定时间

由于湿气穿透器件外壳并抵达芯片表面需要一定的时间，因此当高低温湿热试验箱内环境温度和湿度达到稳定后，应继续保持直至湿气完全抵达芯片表面。由于环氧树脂相较于硅胶，其抵御湿气进入的能力强得多，因此对于环氧树脂封装器件稳定时间不少于336h，硅胶封装器件稳定时间不少于24h。

6、试验计时

器件按6.5的要求进行充分稳定后，开始施加规定的偏置电压，此时试验计时开始。当达到规定的持续时间，温湿度开始下降时计时结束。

7、施加偏置电压

器件按6.5的要求进行充分稳定后，开始施加规定的偏置电压。当试验结束且恢复完成后，再将偏置电压移除。施加偏置电压时，若受试器件为绝缘栅双极晶体管(IGBT)或场效应晶体管(MOSFET)，其栅极和发射极或栅极和源极之间应可靠短路或施加负压。

8、中间检测

如果要求进行中间检测，当检测完成后，应重新按6.5的要求充分稳定后，再施加偏置电压并重新计时。

9、完成检测

试验结束，试验样品恢复常温后，在48h内应按照相关标准规定，进行外观检查和电气参数测试。

10、失效判据

如果器件不能通过规定的终测试，或按照适用的采购文件和数据表中规定的正常和极限环境中不能验证其功能，器件视为失效。

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