High Purity Germanium Single Crystal高纯锗晶体HPGe,9N,10N,11N,12N,13N

高纯锗晶体概述：

 
晶体习性与几何描述    该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：
                   
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入*小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务（特殊规格，请参照附件）。
 
纯度                   残留载荷
                       *大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
l  同轴探测器
同轴探测器适用于下列公式：

where:
Nmax = 每立方厘米*大杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
 
纯度                   假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径，    适用公式变为：
          
 
D = 晶体外表面            
 
平面探测器
 
平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：
 

 
d=探测器外观尺寸厚度
 
径向分散载荷子（**值）
 
迁移                     霍尔迁移
 
性能                     P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
 
深能级                   P 型晶体  通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
                               N 型晶体  通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108 cm-3
 
                                                                                                                                         
**晶体                                             P 型晶体             N 型晶体                     
                           位错密度                  ≤ 10000               ≤ 5000                             
                          星型结构                  ≤ 3                    ≤ 3      
                          镶嵌结构                  ≤ 5                    ≤ 5              
 

高纯锗HPGe晶体参数说明：

高纯锗晶体
产地	法国
物理性质	颜色	银灰色
	属性	半导体材料
	密度	5.32g/cm3
	熔点	937.2℃
	沸点	2830℃
技术指标	材料均匀度	特级
	光洁度	特优
	超高纯度	99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)
制备方式	锗单晶是以为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。
产品规格	P、N型按客户要求定制
产品用途	超高纯度，红外器件、γ辐射探测器
P型N型高纯锗	在高纯金属锗中掺入三价元素如、、等，得到p型锗； 在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。
交货期	90天