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电流传感器引线框磁场
　　使用配备集成载流环的IC具有很多优势：无需磁芯、基本没有磁滞、功率低、并且具有较高的温度精 确度。但是，由于不存在磁芯，传感器容易受到磁体或传感器IC周围导线电流产生的杂散磁场的影响。为了抑制杂散磁场的出现，Allegro的很多电流传感器都具有双霍尔共模抑制方案。霍尔板的布置方式要确保当电流通过IC集成导体或载流环时，每个霍尔板感应的场极性相反。两个霍尔板的位置用H1和H2表示。
采用CMR技术的基本原理是：如果两个霍尔板的信号相减，然后可以将集成环引发的信号求和，这样就可以抑制来自进入IC的任何杂散磁场共模（单极）信号。简单举例，假定每个霍尔板的磁场±B大小相等，方向相反，则：
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B – B2 = B – （–B）
B – （–B） = 2 × B
因此，
H1 – H2 ∝ 2 × B
假定两个霍尔板上具有相等的杂散磁场Bext,则：
H1 – H2 ∝ B1 – B2
B1 – B2 = （B + Bext ） – （–B + Bext）
（B + Bext ） – （–B + Bext ） = 2 × B + Bext – Bext
2 × B + Bext – Bext = 2 × B
因此，
H1 – H2 ∝ 2 × B
Allego的其它技术资料《无磁芯霍尔效应电流传感器IC采用的共模场抑制技术》更详细地介绍了CMR技术的理论和指导方程。本文介绍的主要技术是如何设计和布置这些电流传感器IC的载流线路。此外，本文也提供了*小化其他杂散来源的指南。
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