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电流传感器永磁体影响
电流传感器永磁体影响：
如果长久磁铁靠近电流传感器IC,磁铁导致的杂散场也会影响IC性能。一般情况下，来自磁铁的杂散场可能随磁体的不同而变化极大。它取决于磁铁尺寸、材料、磁化方向以及其他很多因素。如果可以调整电流传感器，使霍尔板垂直于磁体，则可以将这些杂散场的影响降至*小。
具有临近永磁体*优方向的ACS780.
在LR封装中，载流轨迹在器件下面扩展实际改变了电流通过IP总线的路径。这可能导致IP总线与IC的耦合因数发生变化，并显著降低器件性能。
使用ANSYS Maxwell电磁套件可以模拟电流密度和电流产生的磁场。图9提供两种不同模拟的结果。**种情况是向上引至IP总线的电流轨迹在所需点终止。**情况是电流轨迹向IP总线上方扩展过远。两个模拟中的红色箭头表示高电流密度的区域。在没有过量重叠的模拟中（红**域），电流密度与具有过量重叠的模拟差距巨大。还可以看出，H1场比没有过多重叠时更大。这一点用蓝色暗影表示。
具有不同电流轨迹和IP总线重叠的ACS780引线框模拟。
如果重叠超过推荐量，也会导致其他问题，例如电流接近角范围显著缩小。如果电流轨迹在IP总线上扩展的过大，则会形成对接近角的依赖，即接近角直接影响器件的耦合因数。避免这种情况的*佳方式是限制电流轨迹的重叠。
ACS780 PCB布局参考图。进行必要的调整，满足应用工艺要求和PCB布局公差和红色的圈选关键尺寸。
Allegro MicroSystems电流传感器IC有很多优势。这些传感器IC的磁滞几乎为零，而且功耗非常低。与无磁芯相伴的一个缺点是容易受到杂散磁场的影响。但是，很多IC都能够抑制共模磁场。
两个霍尔板的共模场相等时，CMR技术效果*好。我们探讨了若干显著降低两个霍尔板共模场差值的技术，即如何进行外部电流路径布线与其他优化布局技术。针对电流路径不能以*有利的方向布线的情况，我们还介绍了误差估算。此外，还探讨了一些针对LR封装的布局技术，这是因为必须考虑LR的一些特性才能获得*优性能。
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