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产品详情

操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2

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  • 产品名称:操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2
  • 产品型号:NBN12-18GM50-E2?
  • 产品展商:P+F
  • 产品文档:无相关文档
  • 发布时间:2019-03-07
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简单介绍
操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2 磁场传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的装置。自然界和人类社会生活的许多地方都存在磁场或与磁场相关的信息。 操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2
产品描述

操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2

产品信息:
开关功能 常开 (NO)
输出类型 PNP
反极性保护 反极性保护
短路保护 脉冲
导线截面积 0,34 mm2
外壳材料 不锈钢 1.4404 / AISI 316L (V4A)
感应面 PBT
电压降 ≤ 2,5 V
工作电流 0 ... 200 mA
额定工作距离 60 mm
安装 在非磁性金属中齐平安装

薄膜磁致电阻传感器:
铁磁性物质在磁化过程中,它的电阻值沿磁化方向将增
加,并达到饱和的现象称 为磁阻效应。薄膜磁阻元件
式、四端式以及多端式器件。BMber结构桥式电路磁阻
元件具有灵敏度*、工作频率特性*、温度稳定性*、
是利用薄膜工艺和微细加工技术,将NiPe。NiCo合金
过微细加工技术制成 一定形状的磁咀图形,形成三端
结构简单、体积小 等特点。可制成*密度磁咀磁头、
用真空蒸镇或溯射工艺沉积到硅片或铁氧体基片上,通
磁性编码器、磁阻位移传感器、磁阻电流传感器等。

实物图:


操作演示P+F磁场传感器MB60-12GM50-E2

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