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Model 300四探针方阻测试仪 Four Point Probe APPENDICES

Model 300四探针方阻测试仪 Four Point Probe APPENDICES（附件：技术协议）
4D 300 是用来自动测量晶片或者导电薄膜的方阻，测试范围从 0.001 到800000 Ohm/sq，并且可以扩展到 8 e8 Ohm/sq 欧姆或者 8e11 Ohm/sq。测试样片包括金属薄膜，侵蚀，扩散，离子注入和多晶硅薄膜等。该设备根据客户的需求有多种测试方法，并且有厚度，温度等修正选项功能，测试数据可以分析作图。

Appendix 1: Configuration（配置）
- 300 four-point probe system（300 设备） 1 台
- Computer（台式电脑：国内提供） 1 台
- Probe head(探头) 2 个
- NIST traceable wafer(标片) 1 片
Appendix 2: Technical Specification （技术参数）
Four Dimensions Model 300 Four Point Probe
- Automatic measurement and wafer mapping.
- 自动测试与硅片多点测试值作图功能
- Sheet resistance and resistivity measurement system for wafers,
polysilicon, and conductive films such as metal, epi, diffusion, and ion
implantation.
- 薄层电阻与电阻率测量适用于单硅片，多晶片，和导电膜如金属，外延，扩散以
及离子注入。
- Measurement range: 1E-3 to 8E5 ohm/sq.
- 测量范围：1E-3 to 8E5 ohm/sq.
- 测量的**度：<0.1% （标准模阻）；
- 测量重复性：<0.2% （标准镀金硅片或 ITO 标准片）；
- Square wafers (solar cell) suite for 166mm, 18xmm,210mm, up to 240mm;
- 方片尺寸兼容 166mm,18xmm,210mm,*大到 240mm;
- Computer with Windows OS.
- Windows 操作系统；
- 300 operation software.
- 300 操作软件；
- Data analysis and storage.
- 测试数据分析存储功能；
- Data Transfer to ASCII or Excel;
- 测量数据可导出 ASCII 或者 Excell 格式；
- Color Contour Map, and 3D surfaceMap;
- 测试数据可以采用彩色等高线图或 3D 图显示；
Appendix 3：Facility Requirements （安装条件）
1. Powell（电源）: 100/115/240VAC,Single phase,50/60Hz,200w；UPS（不间断电
源）: 500W或以上；电源插头：
2. Tabletop Footprint（操作台面积尺寸）:92cm depth X 51cm width X 76cm height
Appendix 4：Services and Training （售后服务）

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