过氧化氢试剂 HG200-J202

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一．超净高纯试剂的应用与水平

超净高纯试剂(又称工艺化学品)是超大规模集成电路(IC)制作过程中的关键性基础化工材料之一，主要用于芯片的清洗和腐蚀，它的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求高、贮存有效期短和强腐蚀性等特点。

目前国际SEMI标准化组织将超净高纯试剂按应用范围分为四个等级：① SEMI-C1标准(适用于＞1.2μmIC工艺技术的制作)；② SEMI-C7标准(适用于0.8～1.2μmIC工艺技术的制作)；③ SEMI-C8标准(适用于0.2～0.6μmIC工艺技术的制作)；④ SEMI-C12标准(适用于0.09~0.2μmIC工艺技术的制作)。超净高纯试剂与集成电路发展的关系见下表。

超净高纯试剂与集成电路发展的关系

年 代	86年	89年	92年	95年	98年	2001年	2004年	2007年	2010年
IC集成度	1M	4M	16M	64M	256M	1G	4G	16G	64G
技术水平,μm	1.2	0.8	0.5	0.35	0.25	0.18	0.13	0.10	0.07
金属杂质，ppb	≤10		≤1			≤0.1
控制粒径,μm	≥0.5		≥0.5			≥0.2
颗粒，个/mL	≤25		≤5
相应试剂级别	BV-Ⅲ		BV-Ⅳ			BV-Ⅴ
SEMI标准	C7		C8			C12

试剂所通过承担国家重点科技攻关任务而研制开发出来的系列超净高纯试剂成果及产品的水平在国内居**地位，其中BV-Ⅲ级超净高纯试剂获得了国家科委颁发的***新产品证书。本所承建有北京市超净高纯试剂工业性试验基地，现已形成500吨/年的规模，并正在进行工业化规模生产的建设。目前，试剂所正在进行0.2～0.6μmIC技术用BV-Ⅳ级超净高纯试剂的研发，并取得了较大的突破。同时，试剂所还在进行0.09～0.2μm技术用BV-Ⅴ级超净高纯试剂的前期研究工作，预计“十五”末期也将取得突破性的进展。

二．超净高纯试剂的规格与品种

㈠ 主要品种

产品主要包括硫酸、氢氟酸、过氧化氢(双氧水)、氢氧化铵(氨水)、硝酸、盐酸、氟化铵、磷酸、异丙醇、无水乙醇、甲醇、丙酮、丁酮、环己烷、乙酸丁酯、乙酸乙酯、甲苯、二甲苯等。

㈡ 级别

目前，试剂所已经投入规模生产的主要有MOS级和BV—Ⅲ级两个级别的超净高纯试剂，其中MOS级超净高纯试剂主要用于中小规模集成电路及分立器件的制作，BV—Ⅲ级超净高纯试剂主要用于0.8～1.2μmIC工艺技术的制作。其主要指标如下：

⒈ MOS级超净高纯试剂

⑴ 金属杂质含量：≤500ppb

⑵ 非金属杂质含量：≤1ppm

⑶ ≥5μm颗粒控制为：≤27个/mL

⒉ BV—Ⅲ级超净高纯试剂

⑴ 金属杂质含量：≤10ppb

⑵ 非金属杂质含量：≤500ppm

⑶ ≥0.5μm颗粒控制为：≤25个/mL

⑷ 相当于国际SEMI-C7标准的水平。