紫外探测器SG01S--德国sglux公司
产品简介
产品详细信息
特性
UVA-UVB-UVC
**化UVC辐射控制
SiC芯片
固有的宽禁带可见盲区半导体材料
TO-18金属封装
0.054mm2敏感面积
参数
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符号
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数值
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单位
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敏感面积
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A
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0.054
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mm2
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暗电流(1V偏置电压)
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Id
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1
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fA
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电容
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C
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21
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pF
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短路电流(200µW/cm2,波长300nm)
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I0
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ca.70
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nA
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击穿电压
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VBR
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>3
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V
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峰值*小响应度
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Smax
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0.13
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A/W
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响应中心波长
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λsmax
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285
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nm
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响应波长范围(S=0.1*Smax)
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-
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210-380
|
nm
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可见盲区
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Smax/S400nm
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10000
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工作温度
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Topt
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-25-+70
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°C
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*大偏置电压
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VRmax
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20
|
V
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前行电流
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IFmax
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1
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mA
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总消耗功率25oC
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Ptot
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1
|
mW
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