EFA300 低频电磁辐射分析仪 EFA300
产品简介
在实际运用中,例如对高压线和变电站,无论是由单一频率还是有多个频率构成测试场,在宽带模式测量中可显示出测量点的主要辐射源频率。
产品详细信息
简介
·在实际运用中,例如对高压线和变电站,无论是由单一频率还是有多个频率构成测试场
·在宽带模式测量中可显示出测量点的主要辐射源频率
·用户根据显示频率可进一步针对该频点进行选频测量
·无论在任何复杂场中, STD ( Shaped Time Domain )测量模式提供了简单的测量方法
·可选择六种不同的标准曲线设置计算总曝露量
·FFT 窄带频谱分析 / 谐波测量分析功能模块可供用户选择
·通过频谱图用户可获得*大的信息量,及时了解测量区域的污染情况
·同时 9 个谐波测量显示可是您的工作趋于**
应用
·用于低频电磁场测量,如高压输电线、变电站、配电室、感应炉、地铁、电车等作业场所或公共场所
·进行设备低频电磁辐射研究或环境低频电磁辐射测量或研究等不同领域
基本参数
·目前世界上性能**的综合电磁场测量系统
·5Hz-32KHz 、 30Hz-32KHz 、 5Hz-2KHz 、 30Hz-2KHz 宽带满足不同的测量需求,进行自然背景对比测量
·三维各向同性测量探头(无方向性)
·0.1v/m-200Kv/m 大动态电场测量范围
·1nT-20mT 大动态磁场测量范围
·主动鉴别污染源频率,可进行选频测量
·RS-232 接口光纤数据传输
·可选频谱分析 / 谐波分析功能模块
·任何强场中均可自动调零的高**度测量
·可互换干电池和充电电池缓解你燃眉之急
·防尘、防震、易于使用
基本参数
·在实际运用中,例如对高压线和变电站,无论是由单一频率还是有多个频率构成测试场
·在宽带模式测量中可显示出测量点的主要辐射源频率
·用户根据显示频率可进一步针对该频点进行选频测量
·无论在任何复杂场中, STD ( Shaped Time Domain )测量模式提供了简单的测量方法
·可选择六种不同的标准曲线设置计算总曝露量
·FFT 窄带频谱分析 / 谐波测量分析功能模块可供用户选择
·通过频谱图用户可获得*大的信息量,及时了解测量区域的污染情况
·同时 9 个谐波测量显示可是您的工作趋于**
应用
·用于低频电磁场测量,如高压输电线、变电站、配电室、感应炉、地铁、电车等作业场所或公共场所
·进行设备低频电磁辐射研究或环境低频电磁辐射测量或研究等不同领域
基本参数
·目前世界上性能**的综合电磁场测量系统
·5Hz-32KHz 、 30Hz-32KHz 、 5Hz-2KHz 、 30Hz-2KHz 宽带满足不同的测量需求,进行自然背景对比测量
·三维各向同性测量探头(无方向性)
·0.1v/m-200Kv/m 大动态电场测量范围
·1nT-20mT 大动态磁场测量范围
·主动鉴别污染源频率,可进行选频测量
·RS-232 接口光纤数据传输
·可选频谱分析 / 谐波分析功能模块
·任何强场中均可自动调零的高**度测量
·可互换干电池和充电电池缓解你燃眉之急
·防尘、防震、易于使用
基本参数
100 cm²探头 | 内置探头 | 3cm探头 | 电场,磁场探头 | ||
过载 | 200% | 200% | 200% | 200% | |
噪音水平 | < 0.4 % | < 2% | < 1% | < 5 % | |
不确定性 | ±4% | ±9% | ±6% | ±4% | |
方向特性 | 各向同性 | ||||
可选择测量值 | RMS(平均时间1秒)或峰值 | ||||
频率范围 | 5Hz-32KHz、30Hz-32KHz、5Hz-2KHz、30Hz-2KHz | ||||
测量范围 | 4 nT (100 cm2 ) - 32 mT | 4nT(100cm2)-32 mT 0.7 V/m- 100 kV/m | |||
损害程度(峰值) | 91mT≤125 Hz | 91mT≤625 Hz | 91mT≤625 Hz | 280 kV/m | |
典型本底噪声 | 宽带 30Hz-2kHz |
4 nT | 100 nT | 20 nT | 0.7 V/m |
宽带 5Hz-32kHz |
10nT | 5 | 100 nT | 4.5 V/m | |
带通滤波器 50Hz-400Hz |
0.8nT | 25nT | 5nT | 0.14V/m | |
典型不确定性 | 宽带 5Hz-2kHz |
±3%≥40nT | ±5%≥1μT | ±4%≥200nT | ±3%≥5V/m |
宽带 5 Hz - 32 kHz |
±3%≥80nT | ±8%≥2μT | ±5%≥400nT | ±3%≥40V/m | |
带通滤波器 50Hz-400Hz |
±3%≥10nT | ±5%≥250nT | ±4%≥50nT | ±3%≥1V/m |